Хотя компания Microchip в большей мере ассоциируется с микроконтроллерами PIC, в перечне предложений также есть много другой продукции. Компания начала изготовление элементов по технологии карбида кремния после поглощения фирмы Microsemi. Также на постоянной основе продолжается совершенствование производственных процессов и методов изготовления карбида кремния.
Представленные Microchip транзисторы SiC доступны в каталоге ТМ Электроникс. Изделия являются униполярными, получают канал N-типа. За счет применения карбида кремния они способны действовать с максимальной производительностью, особенно по сравнению с классической кремниевой технологией. Также достигается высокая рабочая температура. Изделия характеризует минимальная потеря по уровню мощности. Все эти качества позволяют получить устройство с меньшими габаритами, сниженной массой, при этом потери преобразования энергии снижены.
Через компанию ТМ Электроникс просто заказать дискретные составляющие, действующие при напряжении не более 3,3 кВ, с токами до 99 А. Они монтируются по принципу ТНТ (сквозной) или поверхностно (SMD). Доступны модули, дополненные винтовыми типами вводов. В том числе они применяются в любых источниках питания, с целью дополнения промышленных инверторов, при преобразовании энергии (возобновляемой), на железных дорогах.
MSC090SMA070S Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 700В; 18А; Idm: 65А; 91Вт; D3PAK
MSC180SMA120S Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
MSC750SMA170B Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт
