Энергонезависимая память NV SRAM (Non-Volatile Serial Random Access Memory) от Microchip Technology представляет собой оптимальное решение для приложений, требующих частой записи данных с минимальными задержками. Эти микросхемы обеспечивают доступ к данным без ограничений на количество циклов чтения и записи, что делает их эффективной и экономичной альтернативой другим типам энергонезависимой памяти, особенно для задач, где важна постоянная запись данных.
В отличие от других энергонезависимых решений, таких как EEPROM или флеш-память, NV SRAM использует внешнюю батарею для сохранения данных при отключении основного питания, что гарантирует их долговременное хранение.
Одним из ключевых преимуществ NV SRAM является поддержка стандартного интерфейса SPI, который совместим с большинством современных микроконтроллеров и микропроцессоров, упрощая интеграцию в различные системы. Для передачи данных через SPI требуется всего три линии: тактовый вход (SCK) и линии данных (SI/SO), что минимизирует количество необходимых контактов и снижает сложность схемы.
Это не только экономит ресурсы хост-системы, но и сокращает производственные затраты за счёт упрощения проектирования и сборки. Для более требовательных приложений, требующих высокой скорости обмена данными, серия 23LCV от Microchip поддерживает интерфейс SDI (Serial Dual Interface), что значительно увеличивает скорость передачи и обеспечивает более быстрый доступ к данным.
Преимущество микросхем NV SRAM заключается также в их энергоэффективности. В режиме активного чтения они потребляют всего 3 мА, а в режиме ожидания — менее 4 мкА, что делает их подходящими для устройств с ограниченным энергопотреблением, таких как переносные и автономные устройства. В случае отключения основного питания микросхемы автоматически переключаются на резервный источник питания через вход Vbat, что обеспечивает непрерывное сохранение данных без необходимости дополнительных настроек.
Микросхемы серии 23LCV от Microchip Technology, доступные в каталоге TME, предлагают объём памяти 512 кбит и 1024 кбит. Эти микросхемы выпускаются в стандартных корпусах для сквозного монтажа (DIP8), а также для поверхностного монтажа (SO8, TSSOP8), что делает их идеальным выбором для разнообразных применений, включая системы учёта, регистраторы данных, "черные ящики" и другие устройства, где требуется надёжное, энергонезависимое хранение данных.
Таким образом, NV SRAM от Microchip Technology — это надёжное и эффективное решение для приложений, где важны частое обновление данных и низкое энергопотребление, предлагая долговечность и простоту интеграции в различные проекты.
23LCV512-I/P IC: память SRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; -40÷85°C
23LCV512-I/ST IC: память SRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8; -40÷85°C
23LCV1024-I/ST IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8; -40÷85°C
