Транзисторы IGBT SMD относятся к категории биполярных. Главное их отличие от остальных аналогичных элементов в том, что изделие имеет затвор, где инжекция носителей энергии осуществляется полевым транзистором, который также имеет изолированный затвор.
Благодаря этому у данного устройства можно выделить целый ряд особенных характеристик, а именно:
- отсутствие базы, как конструктивного элемента;
- эмиттер по площади схож с площадью коллектора;
- малая мощность управления;
- небольшие потери при открытом транзисторе;
- допускается разносить коллектор и эмиттер на значительные расстояния.
Именно поэтому данные приборы по сравнению с другими изделиями аналогичного типа характеризуются целым рядом преимуществ. Транзисторы IGBT SMD работают на различных частотах, в том числе и на 75-78 кГц. Стоит отметить, что данный тип устройств по своим характеристикам не способен достичь тех частотных характеристик, которыми обладают транзисторы полевого типа или классические биполярные элементы.
Данные элементы способны устранить ранее выявленные недостатки MOSFET, а именно квадратичную зависимость сопротивления имеющегося канала от уровня напряжения в создаваемой электрической цепи.
