Транзисторы IGBT SMD

Товаров: 291
Загрузка фильтров
Сортировать:
MMIX1G120N120A3V1
MMIX1G120N120A3V1
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD
по запросу
0
Подробнее
IXYA50N65C3
IXYA50N65C3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 50А; 600Вт; TO263-2
по запросу
0
Подробнее
IXYA20N120C3HV
IXYA20N120C3HV
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 278Вт; TO263-2
по запросу
0
Подробнее
IXGT6N170AHV
IXGT6N170AHV
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 3А; 75Вт; TO268HV
по запросу
0
Подробнее
AIHD04N60RFATMA1
AIHD04N60RFATMA1
Транзистор: IGBT; 600В; 4А; 75Вт; DPAK; одиночный транзистор
по запросу
0
Подробнее
MMIX1Y100N120C3H1
MMIX1Y100N120C3H1
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 40А; 400Вт; SMPD
по запросу
0
Подробнее
MMIX1X100N60B3H1
MMIX1X100N60B3H1
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD
по запросу
0
Подробнее
IXYT80N90C3
IXYT80N90C3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 80А; 830Вт; TO268
по запросу
0
Подробнее
IXYA20N65C3
IXYA20N65C3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 230Вт; TO263
по запросу
0
Подробнее
IXXA50N60B3
IXXA50N60B3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 50А; 600Вт; TO263
по запросу
0
Подробнее
IXGT32N170A
IXGT32N170A
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 21А; 350Вт; TO268
по запросу
0
Подробнее
AIHD04N60RATMA1
AIHD04N60RATMA1
Транзистор: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600В; 4А; 75Вт; DPAK
по запросу
0
Подробнее
MMIX1X340N65B4
MMIX1X340N65B4
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 650В; 295А; 1,2кВт; SMPD
по запросу
0
Подробнее
MMIX1G320N60B3
MMIX1G320N60B3
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD
по запросу
0
Подробнее
IXYT20N120C3D1HV
IXYT20N120C3D1HV
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 17А; 230Вт; TO268HV
по запросу
0
Подробнее
IXYA20N65B3
IXYA20N65B3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 230Вт; TO263
по запросу
0
Подробнее
IXGT72N60B3
IXGT72N60B3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 72А; 540Вт; TO268
по запросу
0
Подробнее
IXGT30N120B3D1
IXGT30N120B3D1
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 30А; 300Вт; TO268
по запросу
0
Подробнее
AIHD03N60RFATMA1
AIHD03N60RFATMA1
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 53,6Вт; DPAK
по запросу
0
Подробнее
MMIX1X200N60B3H1
MMIX1X200N60B3H1
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD
по запросу
0
Подробнее
20 50 100 200
Транзисторы IGBT SMD

Транзисторы IGBT SMD относятся к категории биполярных. Главное их отличие от остальных аналогичных элементов в том, что изделие имеет затвор, где инжекция носителей энергии осуществляется полевым транзистором, который также имеет изолированный затвор.

Благодаря этому у данного устройства можно выделить целый ряд особенных характеристик, а именно:

  • отсутствие базы, как конструктивного элемента;
  • эмиттер по площади схож с площадью коллектора;
  • малая мощность управления;
  • небольшие потери при открытом транзисторе;
  • допускается разносить коллектор и эмиттер на значительные расстояния.

Именно поэтому данные приборы по сравнению с другими изделиями аналогичного типа характеризуются целым рядом преимуществ. Транзисторы IGBT SMD работают на различных частотах, в том числе и на 75-78 кГц. Стоит отметить, что данный тип устройств по своим характеристикам не способен достичь тех частотных характеристик, которыми обладают транзисторы полевого типа или классические биполярные элементы.

Данные элементы способны устранить ранее выявленные недостатки MOSFET, а именно квадратичную зависимость сопротивления имеющегося канала от уровня напряжения в создаваемой электрической цепи.

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text