Бесплатная доставка по России
Каталог товаров
Показать все результаты

Ещё из раздела

Транзисторы

39 636 позиций
Ещё 2 подкатегории
Производитель 67
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Монтаж 7
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Вид упаковки 9
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Механический монтаж 3
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Электрический монтаж 10
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Тип модуля 7
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Рассеиваемая мощность 499
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Полярность 4
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Конструкция диода 18
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Технология 194
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Ещё фильтрыСкрыть фильтров
Очистить
Пересчитываю фильтры
Фильтры Скрыть фильтры
Свернуть
По умолчанию
DMN6040SK3-13, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252
DIODES INCORPORATED
DMN6040SK3-13, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252
  • 2899 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 190 ₽
  • 50 шт. — 73 ₽
  • 125 шт. — 67 ₽
  • 1000 шт. — 54 ₽
190 ₽
В корзину
Доступно 2 899 шт.
WMO20N20JN, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; Idm: 60A; 59W; TO252
WAYON
WMO20N20JN, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; Idm: 60A; 59W; TO252
  • 400 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 141 ₽
  • 100 шт. — 66 ₽
141 ₽
В корзину
Доступно 400 шт.
PDTA143XT,215, Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 250мВт; SOT23,TO236AB
NEXPERIA
PDTA143XT,215, Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 250мВт; SOT23,TO236AB
  • 400 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 16 ₽
  • 25 шт. — 7.3 ₽
  • 250 шт. — 4.3 ₽
16 ₽
В корзину
Доступно 400 шт.
IRFP4568PBFXKMA1, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4568PBFXKMA1, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
  • 400 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 088 ₽
  • 10 шт. — 870 ₽
  • 25 шт. — 802 ₽
  • 50 шт. — 752 ₽
  • 100 шт. — 704 ₽
1 088 ₽
В корзину
Доступно 400 шт.
TC6215TG-G, Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 150/-150V; 3.8/-3A; SO8
MICROCHIP TECHNOLOGY
TC6215TG-G, Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 150/-150V; 3.8/-3A; SO8
  • 400 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 568 ₽
  • 25 шт. — 323 ₽
1 568 ₽
В корзину
Доступно 400 шт.
AUIRFP4568-E, Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; 517Вт; TO247
INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFP4568-E, Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; 517Вт; TO247
  • 400 шт. — 4 недели
  • 4 шт. — 3 736 ₽
  • 5 шт. — 2 602 ₽
  • 10 шт. — 2 447 ₽
  • 30 шт. — 2 343 ₽
  • 50 шт. — 2 090 ₽
3 736 ₽
В корзину
Доступно 400 шт.
от 4 шт. и кратно 4
WMO60P03TS, Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
WAYON
WMO60P03TS, Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
  • 400 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 128 ₽
  • 25 шт. — 69 ₽
  • 250 шт. — 55 ₽
128 ₽
В корзину
Доступно 400 шт.
AUIRFP4568, Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247
INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFP4568, Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247
  • 400 шт. — 4 недели
  • 5 шт. — 3 269 ₽
  • 9 шт. — 3 129 ₽
  • 10 шт. — 3 114 ₽
  • 20 шт. — 3 035 ₽
  • 30 шт. — 2 708 ₽
3 269 ₽
В корзину
Доступно 400 шт.
от 5 шт. и кратно 5
WMR140NV6LG4, Transistor: N-MOSFET; unipolar; DFN2020-6
WAYON
WMR140NV6LG4, Transistor: N-MOSFET; unipolar; DFN2020-6
  • 400 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 91 ₽
  • 25 шт. — 30.3 ₽
91 ₽
В корзину
Доступно 400 шт.
SIHP18N50C-E3, Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 18A; 223W; TO220AB
VISHAY
SIHP18N50C-E3, Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 18A; 223W; TO220AB
  • 400 шт. — 4 недели
  • 300 шт. — 327 ₽
327 ₽
В корзину
Доступно 400 шт.
от 300 шт. и кратно 300
PJA3438-AU_R1_000A1, Transistor: N-MOSFET
PanJit Semiconductor
PJA3438-AU_R1_000A1, Transistor: N-MOSFET
  • 400 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 70 ₽
  • 100 шт. — 28 ₽
70 ₽
В корзину
Доступно 400 шт.
BIDW30N60T, Transistor: IGBT
BOURNS
BIDW30N60T, Transistor: IGBT
  • 399 шт. — 4 недели
  • 32 шт. — 543 ₽
  • 350 шт. — 443 ₽
543 ₽
В корзину
Доступно 399 шт.
от 32 шт. и кратно 32
IXTH10P60, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -600В; -10А; 300Вт; TO247-3; 500нс
IXYS
IXTH10P60, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -600В; -10А; 300Вт; TO247-3; 500нс
  • 399 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 733 ₽
  • 5 шт. — 2 410 ₽
  • 10 шт. — 2 090 ₽
  • 50 шт. — 1 767 ₽
  • 100 шт. — 1 645 ₽
2 733 ₽
В корзину
Доступно 399 шт.
IXFH16N120P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 16А; 660Вт; TO247-3
IXYS
IXFH16N120P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 16А; 660Вт; TO247-3
  • 399 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 4 455 ₽
  • 30 шт. — 3 028 ₽
4 455 ₽
В корзину
Доступно 399 шт.
TIP120G, Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 60В; 5А; 2Вт; TO220AB
ONSEMI
TIP120G, Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 60В; 5А; 2Вт; TO220AB
  • 399 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 159 ₽
  • 50 шт. — 85 ₽
159 ₽
В корзину
Доступно 399 шт.
FDP039N08B-F102, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 171A; Idm: 684A; 214W; TO220-3
ONSEMI
FDP039N08B-F102, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 171A; Idm: 684A; 214W; TO220-3
  • 399 шт. — 4 недели
  • 106 шт. — 1 008 ₽
1 008 ₽
В корзину
Доступно 399 шт.
от 106 шт. и кратно 106
SIHP33N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET
VISHAY
SIHP33N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET
  • 399 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 285 ₽
  • 50 шт. — 686 ₽
  • 100 шт. — 629 ₽
1 285 ₽
В корзину
Доступно 399 шт.
FCPF125N65S3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
ONSEMI
FCPF125N65S3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
  • 399 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 100 ₽
  • 10 шт. — 740 ₽
  • 50 шт. — 585 ₽
  • 100 шт. — 535 ₽
1 100 ₽
В корзину
Доступно 399 шт.
BC559A, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 500мВт; TO92 BC559A, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 500мВт; TO92
DIOTEC SEMICONDUCTOR
BC559A, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,1А; 500мВт; TO92
  • 398 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 29 ₽
  • 10 шт. — 18.4 ₽
  • 250 шт. — 11 ₽
29 ₽
В корзину
Доступно 398 шт.
IPD082N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3
INFINEON TECHNOLOGIES
IPD082N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3
  • 395 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 474 ₽
  • 10 шт. — 278 ₽
  • 50 шт. — 228 ₽
  • 100 шт. — 209 ₽
  • 250 шт. — 187 ₽
474 ₽
В корзину
Доступно 395 шт.

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Вход / Регистрация
Войдите в личный кабинет и получите баллы при заказе
Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных по Политике и на получение рассылок.
Подтвердите вход
Перезвоните мне
Ваше имя *
Ваш телефон *
Заказать звонок
Нажимая на кнопку «Заказать звонок», Вы принимаете условия пользовательского соглашения
Заявка отправлена
Мы ответим на ваше сообщение в ближайшее время
Идет отправка
Новый список
Создать список
Добавить в список
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти