Бесплатная доставка по России
Каталог товаров
Показать все результаты

Ещё из раздела

Транзисторы

39 636 позиций
Ещё 2 подкатегории
Производитель 67
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Монтаж 7
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Вид упаковки 9
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Механический монтаж 3
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Электрический монтаж 10
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Тип модуля 7
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Рассеиваемая мощность 499
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Полярность 4
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Конструкция диода 18
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Технология 194
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Ещё фильтрыСкрыть фильтров
Очистить
Пересчитываю фильтры
Фильтры Скрыть фильтры
Свернуть
По умолчанию
G230P06K, Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -60A; 115W; TO252
GOFORD SEMICONDUCTOR
G230P06K, Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -60A; 115W; TO252
  • 901 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 540 ₽
  • 10 шт. — 314 ₽
  • 100 шт. — 139 ₽
  • 500 шт. — 102 ₽
1 540 ₽
В корзину
Доступно 901 шт.
FQP2N80, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,52А; Idm: 9,6А; 85Вт; TO220AB FQP2N80, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,52А; Idm: 9,6А; 85Вт; TO220AB
ONSEMI
FQP2N80, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,52А; Idm: 9,6А; 85Вт; TO220AB
  • 900 шт. — 4 недели
  • 384 шт. — 138 ₽
138 ₽
В корзину
Доступно 900 шт.
от 384 шт. и кратно 384
FCPF190N60E, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 61.8A; 39W
ONSEMI
FCPF190N60E, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 61.8A; 39W
  • 900 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 960 ₽
  • 10 шт. — 641 ₽
  • 50 шт. — 504 ₽
  • 100 шт. — 459 ₽
  • 500 шт. — 382 ₽
960 ₽
В корзину
Доступно 900 шт.
NTPF125N65S3H, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 37W; TO220FP
ONSEMI
NTPF125N65S3H, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 37W; TO220FP
  • 900 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 258 ₽
  • 50 шт. — 673 ₽
  • 100 шт. — 617 ₽
  • 500 шт. — 530 ₽
1 258 ₽
В корзину
Доступно 900 шт.
DMP4050SSDQ-13, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -4,1А; 1,25Вт; SO8
DIODES INCORPORATED
DMP4050SSDQ-13, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -4,1А; 1,25Вт; SO8
  • 900 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 648 ₽
  • 10 шт. — 384 ₽
  • 25 шт. — 270 ₽
  • 50 шт. — 221 ₽
  • 100 шт. — 188 ₽
1 648 ₽
В корзину
Доступно 900 шт.
PJW4P06A-AU_R2_000A1, Transistor: P-MOSFET
PanJit Semiconductor
PJW4P06A-AU_R2_000A1, Transistor: P-MOSFET
  • 900 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 143 ₽
  • 100 шт. — 60 ₽
  • 500 шт. — 45 ₽
143 ₽
В корзину
Доступно 900 шт.
SIHA180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET
VISHAY
SIHA180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET
  • 900 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 808 ₽
  • 50 шт. — 413 ₽
  • 100 шт. — 375 ₽
  • 500 шт. — 308 ₽
808 ₽
В корзину
Доступно 900 шт.
IRFB7537PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 173А; 230Вт; TO220AB
INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7537PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 173А; 230Вт; TO220AB
  • 900 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 468 ₽
  • 5 шт. — 385 ₽
  • 10 шт. — 325 ₽
  • 25 шт. — 238 ₽
  • 50 шт. — 187 ₽
468 ₽
В корзину
Доступно 900 шт.
IRGB4607DPBF, Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 58Вт; TO220AB IRGB4607DPBF, Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 58Вт; TO220AB
Infineon (IRF)
IRGB4607DPBF, Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 58Вт; TO220AB
  • 900 шт. — 4 недели
  • 233 шт. — 229 ₽
229 ₽
В корзину
Доступно 900 шт.
от 233 шт. и кратно 233
IKB20N65EH5ATMA1, Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK; одиночный транзистор
INFINEON TECHNOLOGIES
IKB20N65EH5ATMA1, Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK; одиночный транзистор
  • 899 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 551 ₽
  • 10 шт. — 389 ₽
551 ₽
В корзину
Доступно 899 шт.
BUX80, Транзистор: NPN; биполярный; 400В; 10А; 100Вт; TO3
CDIL
BUX80, Транзистор: NPN; биполярный; 400В; 10А; 100Вт; TO3
  • 899 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 578 ₽
  • 5 шт. — 477 ₽
  • 25 шт. — 427 ₽
  • 100 шт. — 379 ₽
578 ₽
В корзину
Доступно 899 шт.
FDC6321C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 25/-25В
ONSEMI
FDC6321C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 25/-25В
  • 898 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 179 ₽
  • 25 шт. — 96 ₽
  • 100 шт. — 65 ₽
  • 500 шт. — 50 ₽
179 ₽
В корзину
Доступно 898 шт.
J112-D27Z, Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
ONSEMI
J112-D27Z, Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
  • 898 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 113 ₽
  • 10 шт. — 70 ₽
  • 100 шт. — 45 ₽
  • 500 шт. — 34 ₽
113 ₽
В корзину
Доступно 898 шт.
G050P03K, Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -85A; 100W; TO252
GOFORD SEMICONDUCTOR
G050P03K, Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -85A; 100W; TO252
  • 898 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 556 ₽
  • 10 шт. — 324 ₽
  • 100 шт. — 146 ₽
  • 500 шт. — 108 ₽
1 556 ₽
В корзину
Доступно 898 шт.
MMDT4401-7-F, Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 200mW; SOT363
DIODES INCORPORATED
MMDT4401-7-F, Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 200mW; SOT363
  • 897 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 318 ₽
  • 10 шт. — 172 ₽
  • 50 шт. — 59 ₽
1 318 ₽
В корзину
Доступно 897 шт.
DSS5220V-7, Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; 600mW; SOT563
DIODES INCORPORATED
DSS5220V-7, Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; 600mW; SOT563
  • 897 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 69 ₽
  • 100 шт. — 27 ₽
69 ₽
В корзину
Доступно 897 шт.
TSM60NB099CF C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 24А; 69Вт; TO220FP TSM60NB099CF C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 24А; 69Вт; TO220FP
TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSM60NB099CF C0G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 24А; 69Вт; TO220FP
  • 897 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 288 ₽
  • 10 шт. — 914 ₽
  • 100 шт. — 694 ₽
  • 500 шт. — 653 ₽
1 288 ₽
В корзину
Доступно 897 шт.
STB6N80K5, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; 85W; D2PAK,TO263
STMicroelectronics
STB6N80K5, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.5A; 85W; D2PAK,TO263
  • 897 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 514 ₽
  • 10 шт. — 313 ₽
  • 40 шт. — 265 ₽
  • 50 шт. — 257 ₽
  • 100 шт. — 234 ₽
514 ₽
В корзину
Доступно 897 шт.
STN3NF06L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; 3,3Вт; SOT223
STMicroelectronics
STN3NF06L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; 3,3Вт; SOT223
  • 838 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 543 ₽
  • 10 шт. — 315 ₽
  • 100 шт. — 140 ₽
  • 500 шт. — 103 ₽
1 543 ₽
В корзину
Доступно 838 шт.
SI4497DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -29А; 5Вт; SO8
VISHAY
SI4497DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -29А; 5Вт; SO8
  • 697 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 564 ₽
  • 10 шт. — 392 ₽
  • 50 шт. — 286 ₽
  • 100 шт. — 261 ₽
  • 125 шт. — 257 ₽
564 ₽
В корзину
Доступно 697 шт.

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Вход / Регистрация
Войдите в личный кабинет и получите баллы при заказе
Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных по Политике и на получение рассылок.
Подтвердите вход
Перезвоните мне
Ваше имя *
Ваш телефон *
Заказать звонок
Нажимая на кнопку «Заказать звонок», Вы принимаете условия пользовательского соглашения
Заявка отправлена
Мы ответим на ваше сообщение в ближайшее время
Идет отправка
Новый список
Создать список
Добавить в список
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти