Бесплатная доставка по России
Каталог товаров
Показать все результаты

Ещё из раздела

Транзисторы

39 636 позиций
Ещё 2 подкатегории
Производитель 67
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Монтаж 7
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Вид упаковки 9
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Механический монтаж 3
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Электрический монтаж 10
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Тип модуля 7
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Рассеиваемая мощность 499
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Полярность 4
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Конструкция диода 18
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Технология 194
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Ещё фильтрыСкрыть фильтров
Очистить
Пересчитываю фильтры
Фильтры Скрыть фильтры
Свернуть
По умолчанию
TIP32G, Транзистор: PNP; биполярный; 40В; 3А; 40Вт; TO220AB
ONSEMI
TIP32G, Транзистор: PNP; биполярный; 40В; 3А; 40Вт; TO220AB
  • 2839 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 233 ₽
  • 10 шт. — 109 ₽
  • 500 шт. — 96 ₽
233 ₽
В корзину
Доступно 2 839 шт.
BD168, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 1,5А; 20Вт; TO126
CDIL
BD168, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 1,5А; 20Вт; TO126
  • 1860 шт. — 4 недели
  • 5 шт. — 36 ₽
  • 25 шт. — 31 ₽
  • 100 шт. — 27.4 ₽
  • 500 шт. — 25 ₽
36 ₽
В корзину
Доступно 1 860 шт.
от 5 шт. и кратно 5
2SD1782-R, Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.2W; SOT23
YANGJIE TECHNOLOGY
2SD1782-R, Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.2W; SOT23
  • 1850 шт. — 4 недели
  • 5 шт. — 21.5 ₽
  • 100 шт. — 5.6 ₽
21.5 ₽
В корзину
Доступно 1 850 шт.
от 5 шт. и кратно 5
S9012-H, Транзистор: PNP; биполярный; 25В; 0,5А; 300мВт; SOT23
YANGJIE TECHNOLOGY
S9012-H, Транзистор: PNP; биполярный; 25В; 0,5А; 300мВт; SOT23
  • 1850 шт. — 4 недели
  • 25 шт. — 7.5 ₽
  • 100 шт. — 3.9 ₽
  • 250 шт. — 3.4 ₽
7.5 ₽
В корзину
Доступно 1 850 шт.
от 25 шт. и кратно 25
DMNH6042SK3Q-13, Транзистор: N-MOSFET
DIODES INCORPORATED
DMNH6042SK3Q-13, Транзистор: N-MOSFET
  • 1849 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 554 ₽
  • 10 шт. — 302 ₽
  • 25 шт. — 198 ₽
  • 50 шт. — 155 ₽
1 554 ₽
В корзину
Доступно 1 849 шт.
ZVNL120A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,18А; 0,7Вт; TO92
DIODES INCORPORATED
ZVNL120A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,18А; 0,7Вт; TO92
  • 1847 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 255 ₽
  • 10 шт. — 149 ₽
  • 50 шт. — 122 ₽
  • 500 шт. — 90 ₽
255 ₽
В корзину
Доступно 1 847 шт.
ZTX601BSTZ, Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 160V; 1A; 1W; TO92
DIODES INCORPORATED
ZTX601BSTZ, Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 160V; 1A; 1W; TO92
  • 1847 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 299 ₽
  • 10 шт. — 189 ₽
  • 100 шт. — 125 ₽
299 ₽
В корзину
Доступно 1 847 шт.
IRFZ40PBF, Transistor: N-MOSFET
VISHAY
IRFZ40PBF, Transistor: N-MOSFET
  • 1844 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 680 ₽
  • 50 шт. — 342 ₽
  • 100 шт. — 309 ₽
  • 500 шт. — 252 ₽
680 ₽
В корзину
Доступно 1 844 шт.
TN0110N3-G-P002, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92
MICROCHIP TECHNOLOGY
TN0110N3-G-P002, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92
  • 1844 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 248 ₽
  • 25 шт. — 206 ₽
  • 100 шт. — 188 ₽
248 ₽
В корзину
Доступно 1 844 шт.
2SC2983, Транзистор: NPN; биполярный; 160В; 1,5А; 15Вт; DPAK
DIOTEC SEMICONDUCTOR
2SC2983, Транзистор: NPN; биполярный; 160В; 1,5А; 15Вт; DPAK
  • 1838 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 77 ₽
  • 10 шт. — 55 ₽
  • 50 шт. — 44 ₽
  • 250 шт. — 37.4 ₽
77 ₽
В корзину
Доступно 1 838 шт.
PN2907ATFR, Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
ONSEMI
PN2907ATFR, Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
  • 1829 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 57 ₽
  • 10 шт. — 37.5 ₽
  • 200 шт. — 18 ₽
  • 1000 шт. — 13.4 ₽
57 ₽
В корзину
Доступно 1 829 шт.
SI9407BDY-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A
VISHAY
SI9407BDY-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A
  • 1816 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 323 ₽
  • 10 шт. — 213 ₽
  • 20 шт. — 187 ₽
  • 100 шт. — 138 ₽
  • 1000 шт. — 93 ₽
323 ₽
В корзину
Доступно 1 816 шт.
DMNH10H028SK3Q-13, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 39А; Idm: 58А; 3,7Вт; TO252
DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SK3Q-13, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 39А; Idm: 58А; 3,7Вт; TO252
  • 1807 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 926 ₽
  • 10 шт. — 549 ₽
  • 100 шт. — 304 ₽
1 926 ₽
В корзину
Доступно 1 807 шт.
STQ1NK60ZR-AP, Transistor: N-MOSFET; unipolar
STMicroelectronics
STQ1NK60ZR-AP, Transistor: N-MOSFET; unipolar
  • 1805 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 175 ₽
  • 50 шт. — 83 ₽
  • 500 шт. — 59 ₽
175 ₽
В корзину
Доступно 1 805 шт.
BSP295H6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
INFINEON TECHNOLOGIES
BSP295H6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
  • 1743 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 248 ₽
  • 10 шт. — 153 ₽
  • 100 шт. — 98 ₽
  • 500 шт. — 80 ₽
248 ₽
В корзину
Доступно 1 743 шт.
HN1B04FU-GR,LF, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; дополнительная пара; 50В
TOSHIBA
HN1B04FU-GR,LF, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; дополнительная пара; 50В
  • 1674 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 331 ₽
  • 10 шт. — 161 ₽
  • 500 шт. — 17.8 ₽
1 331 ₽
В корзину
Доступно 1 674 шт.
R8005ANJFRGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 10А; 120Вт; D2PAK
ROHM SEMICONDUCTOR
R8005ANJFRGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 10А; 120Вт; D2PAK
  • 887 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 772 ₽
  • 10 шт. — 529 ₽
  • 100 шт. — 364 ₽
  • 500 шт. — 310 ₽
772 ₽
В корзину
Доступно 887 шт.
IXXH80N65B4H1, Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 80А; 625Вт; TO247-3
IXYS
IXXH80N65B4H1, Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 80А; 625Вт; TO247-3
  • 5 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 821 ₽
  • 5 шт. — 2 457 ₽
2 821 ₽
В корзину
Доступно 5 шт.
SI1012CR-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A
VISHAY
SI1012CR-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A
По запросу
Запросить
R6002END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; Idm: 4А; 26Вт; TO252
ROHM SEMICONDUCTOR
R6002END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; Idm: 4А; 26Вт; TO252
По запросу
Запросить

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Вход / Регистрация
Войдите в личный кабинет и получите баллы при заказе
Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных по Политике и на получение рассылок.
Подтвердите вход
Перезвоните мне
Ваше имя *
Ваш телефон *
Заказать звонок
Нажимая на кнопку «Заказать звонок», Вы принимаете условия пользовательского соглашения
Заявка отправлена
Мы ответим на ваше сообщение в ближайшее время
Идет отправка
Новый список
Создать список
Добавить в список
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти