Бесплатная доставка по России
Каталог товаров
Показать все результаты

Ещё из раздела

Транзисторы

39 636 позиций
Ещё 2 подкатегории
Производитель 67
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Монтаж 7
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Вид упаковки 9
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Механический монтаж 3
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Электрический монтаж 10
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Тип модуля 7
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Рассеиваемая мощность 499
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Полярность 4
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Конструкция диода 18
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Технология 194
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Ещё фильтрыСкрыть фильтров
Очистить
Пересчитываю фильтры
Фильтры Скрыть фильтры
Свернуть
По умолчанию
G06NP06S2, Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 60/-60V; 6/-6A; 2/2.5W
GOFORD SEMICONDUCTOR
G06NP06S2, Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 60/-60V; 6/-6A; 2/2.5W
  • 11850 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 504 ₽
  • 10 шт. — 270 ₽
  • 100 шт. — 107 ₽
  • 500 шт. — 75 ₽
  • 4000 шт. — 55 ₽
1 504 ₽
В корзину
Доступно 11 850 шт.
DI003N03SQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3А; Idm: 9А; 1,6Вт; SO8 DI003N03SQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3А; Idm: 9А; 1,6Вт; SO8
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI003N03SQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3А; Idm: 9А; 1,6Вт; SO8
  • 4000 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 488 ₽
  • 10 шт. — 260 ₽
  • 100 шт. — 100 ₽
  • 500 шт. — 70 ₽
  • 4000 шт. — 54 ₽
1 488 ₽
В корзину
Доступно 4 000 шт.
FQB10N50CFTM-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,35А; Idm: 40А; 143Вт; D2PAK FQB10N50CFTM-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,35А; Idm: 40А; 143Вт; D2PAK
ONSEMI
FQB10N50CFTM-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,35А; Idm: 40А; 143Вт; D2PAK
  • 4000 шт. — 4 недели
  • 800 шт. — 190 ₽
190 ₽
В корзину
Доступно 4 000 шт.
от 800 шт. и кратно 800
G120P03S2, Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -16A; 3W; SOP8
GOFORD SEMICONDUCTOR
G120P03S2, Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -16A; 3W; SOP8
  • 4000 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 535 ₽
  • 10 шт. — 291 ₽
  • 100 шт. — 121 ₽
  • 500 шт. — 87 ₽
  • 4000 шт. — 65 ₽
1 535 ₽
В корзину
Доступно 4 000 шт.
PJX8807_R1_00001, Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 500mA; SOT563
PanJit Semiconductor
PJX8807_R1_00001, Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 500mA; SOT563
  • 4000 шт. — 4 недели
  • 4000 шт. — 11.3 ₽
11.3 ₽
В корзину
Доступно 4 000 шт.
от 4000 шт. и кратно 4000
NSVBC144EDXV6T1G, Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 47kΩ
ONSEMI
NSVBC144EDXV6T1G, Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 47kΩ
  • 4000 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 348 ₽
  • 10 шт. — 172 ₽
  • 500 шт. — 23 ₽
  • 2000 шт. — 17 ₽
1 348 ₽
В корзину
Доступно 4 000 шт.
G1008B, Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 100V; 8A; 3W; SOP8
GOFORD SEMICONDUCTOR
G1008B, Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 100V; 8A; 3W; SOP8
  • 4000 шт. — 4 недели
  • 4000 шт. — 34.6 ₽
34.6 ₽
В корзину
Доступно 4 000 шт.
от 4000 шт. и кратно 4000
PSMN7R0-100BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; Idm: 475А; 269Вт
NEXPERIA
PSMN7R0-100BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; Idm: 475А; 269Вт
  • 4000 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 647 ₽
  • 10 шт. — 422 ₽
  • 50 шт. — 325 ₽
  • 100 шт. — 293 ₽
  • 800 шт. — 226 ₽
647 ₽
В корзину
Доступно 4 000 шт.
DI008N09SQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 90В; 8А; Idm: 23А; 2Вт; SO8 DI008N09SQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 90В; 8А; Idm: 23А; 2Вт; SO8
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI008N09SQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 90В; 8А; Idm: 23А; 2Вт; SO8
  • 4000 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 468 ₽
  • 10 шт. — 247 ₽
  • 50 шт. — 113 ₽
  • 500 шт. — 62 ₽
1 468 ₽
В корзину
Доступно 4 000 шт.
G11S, Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -11A; 3.3W; SOP8
GOFORD SEMICONDUCTOR
G11S, Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -11A; 3.3W; SOP8
  • 3996 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 151 ₽
  • 25 шт. — 58 ₽
  • 500 шт. — 35 ₽
151 ₽
В корзину
Доступно 3 996 шт.
NSBC124EPDXV6T1G, Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
ONSEMI
NSBC124EPDXV6T1G, Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
  • 3800 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 69 ₽
  • 100 шт. — 27 ₽
  • 1000 шт. — 18 ₽
69 ₽
В корзину
Доступно 3 800 шт.
FGB3040G2-F085C, Transistor: IGBT
ONSEMI
FGB3040G2-F085C, Transistor: IGBT
  • 3786 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 017 ₽
  • 10 шт. — 613 ₽
  • 100 шт. — 353 ₽
  • 800 шт. — 265 ₽
2 017 ₽
В корзину
Доступно 3 786 шт.
G130N06S2, Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8
GOFORD SEMICONDUCTOR
G130N06S2, Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8
  • 3699 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 610 ₽
  • 10 шт. — 340 ₽
  • 100 шт. — 155 ₽
  • 500 шт. — 115 ₽
1 610 ₽
В корзину
Доступно 3 699 шт.
PEMZ7,115, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; дополнительная пара; 12В; 0,5А
NEXPERIA
PEMZ7,115, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; дополнительная пара; 12В; 0,5А
  • 3470 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 366 ₽
  • 10 шт. — 182 ₽
  • 500 шт. — 28 ₽
  • 2000 шт. — 21 ₽
1 366 ₽
В корзину
Доступно 3 470 шт.
G05N06S2, Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 5A; 3.1W; SOP8
GOFORD SEMICONDUCTOR
G05N06S2, Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 5A; 3.1W; SOP8
  • 83 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 466 ₽
  • 10 шт. — 246 ₽
1 466 ₽
В корзину
Доступно 83 шт.
G050N03S, Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 18A; 2.1W; SOP8
GOFORD SEMICONDUCTOR
G050N03S, Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 18A; 2.1W; SOP8
По запросу
Запросить
6706A, Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 30/-30V; 6.5/-5A; 2/2W
GOFORD SEMICONDUCTOR
6706A, Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 30/-30V; 6.5/-5A; 2/2W
По запросу
Запросить
G08N06S, Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 5A; 2.1W; SOP8
GOFORD SEMICONDUCTOR
G08N06S, Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 5A; 2.1W; SOP8
По запросу
Запросить
G06N06S, Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 8A; 2.1W; SOP8
GOFORD SEMICONDUCTOR
G06N06S, Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 8A; 2.1W; SOP8
По запросу
Запросить
G130N06S, Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8
GOFORD SEMICONDUCTOR
G130N06S, Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8
По запросу
Запросить

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Вход / Регистрация
Войдите в личный кабинет и получите баллы при заказе
Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных по Политике и на получение рассылок.
Подтвердите вход
Перезвоните мне
Ваше имя *
Ваш телефон *
Заказать звонок
Нажимая на кнопку «Заказать звонок», Вы принимаете условия пользовательского соглашения
Заявка отправлена
Мы ответим на ваше сообщение в ближайшее время
Идет отправка
Новый список
Создать список
Добавить в список
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти