Ещё из раздела
- WV25616EDBLL10BLA3 IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- LV25616AL10TLTR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II; параллельный
- WV25616EDBLL10CTL IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- VPS204836B250B3L IC: SRAM memory; 2Mx36bit; 2.5V; 2.8ns; TFBGA165; parallel; 0÷70°C
- WV51216EFBLL45TLIT IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II; -40÷85°C
- WVC4M16ECLL7010BLI IC: память SRAM; 4Mx16бит; 1,7÷1,95/2,7÷3,6В; 70нс; VFBGA54
- AS6CE1016A-45ZINTR IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II; 400mils
- AS6C4016B-45ZIN IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
- WV1M16EBLL70BLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,5÷3,6В; 70нс; TFBGA48; параллельный
- WV25616BLL10CTLA3T IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- WV10248EBLL45BLI IC: память SRAM; 1Mx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; VFBGA48; параллельный
- WV51232BLL10BLITR IC: SRAM memory; 512kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90; parallel
- WV25616EALL55BLI IC: память SRAM; 256Кx16бит; 1,65÷2,2В; 55нс; VFBGA48; -40÷85°C
- LPS25618A200TQLI IC: SRAM memory; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
- WV6416DBLL10CTLA3 IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- WV3216BLL15CTLA3 IC: память SRAM; 32Кx18бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II; параллельный
- LPS12836EC200TQLI IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
- WV10248BLL10MLI IC: память SRAM; 1Mx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- WV5128EBLL45HLI IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; STSOP32; параллельный
- WV128248BLTR IC: память SRAM; 128Кx24бит; 3,3В; 8нс; PBGA119; параллельный
- WV2568EDBLL10BLITR IC: память SRAM; 256Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA36; параллельный
- VPS51236B200TQLITR IC: SRAM memory; 512kx36bit; 2.5V; 3ns; QFP100; parallel; -40÷85°C
- LF12836A7.5TQLITR IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
- NLF51218A7.5TQLI IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
Памяти SRAM параллельные
1 850 позиций