Ещё из раздела
- NLF51218A7.5TQLI IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
- WV6416DBLL10BLI IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- C25616EL45TLITR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 5В; 45нс; TSOP44 II; параллельный
- LF51218B7.5TQLI IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
- WV6416BLL15BLA3TR IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,5÷3,6В; 15нс; TFBGA48; параллельный
- LF204836B7.5TQLI IC: SRAM memory; 2Mx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- NLP12836B200TQLITR IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100; parallel
- WV5128EBLL45HLITR IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; STSOP32; параллельный
- WV51216EBLL45BLITR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; VFBGA48; параллельный
- NLP204818B200TQLI IC: SRAM memory; 2Mx18bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- WV51216EALL70BLITR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 1,7÷1,95В; 70нс; TFBGA48; -40÷85°C
- NLP12836EC200B3LI IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165; parallel
- WV51216EDBLL10BLA3 IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- VPS204836B250B3LI IC: SRAM memory; 2Mx36bit; 2.5V; 2.8ns; TFBGA165; parallel
- LF25636A7.5B3LA3 IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; PBGA165; parallel
- LF25636A7.5TQLI IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
- WV1288BLL55HLA1TR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32; параллельный
- WV6416EEBLL10BLI IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- WVE2M16EBLL70BLI IC: память SRAM; 2Mx16бит; 2,7÷3,6В; 70нс; TFBGA48; параллельный
- LPS25618EC200TQLI IC: SRAM memory; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
- WVH8M8BLL100B1LI IC: память SRAM; 8Mx8бит; 3В; 40нс; TFBGA24; параллельный; -40÷85°C
- C1024AL45TLA3 IC: память SRAM; 128Кx8бит; 5В; 45нс; TSOP32; параллельный
- WVH8M8ALL166B1LI IC: память SRAM; 8Mx8бит; 1,8В; 36нс; TFBGA24; параллельный
- WVE4M16TBLL70BLI IC: память SRAM; 4Mx16бит; 2,7÷3,6В; 70нс; TFBGA48; параллельный
Памяти SRAM параллельные
1 850 позиций