Каталог товаров

О разделе «Памяти SRAM параллельные»

Наша компания сотрудничает с самыми известными производителями микросхем памяти. Их продукция отличается качеством и надёжностью, ведь изготавливается из прочных материалов и комплектующих. Вниманию потребителя предлагаются параллельные микросхемы памяти SRAM с широким выбором параметров и встроенных характеристик.

Выбрать идеально подходящее устройство не ставит труда. В первую очередь необходимо определиться с предстоящим способом использования устройства, а так же владеть информацией об основных показателях и значениях подходящие для обслуживания той или иной системы.

Определившись с производителем изделия (в основном устройства отличаются между собой по цене), особое внимание при выборе микросхемы стоит уделить подбору:

  • виду памяти;
  • способу монтажа;
  • нужной ёмкости памяти;
  • значению рабочего напряжения;
  • свойствам корпуса и типу самого устройства;
  • структуре памяти;
  • максимальным срокам доступа.

В основном, память SRAM подразделяется на синхронную и асинхронную. В первом варианте все рабочие процессы осуществляются исключительно по тактовому сигналу, что влияет на время обработки, которая ограничена данной частотой. В связи с чем, синхронный тип памяти нецелесообразно использовать в системах функционирующих на значительных скоростях.

Для записи и чтения в асинхронной памяти используется фронт сигнала данных, в связи с чем, посредством поступающих данных организовывается контроль. Данный тип микросхемы памяти отличается организацией быстрого доступа к информации.

Несмотря на то, что предлагаемые микросхемы двух типов, являются результатом процесса производства ведущих мировых компаний, цены на продукцию доступны. Компании-изготовители обеспечивают качество и предоставляют всю необходимую документацию. Все поставки максимально надёжны, изготовитель проверяет на соответствие установленным нормам и качество выполняемых функций микросхемы с каждой партии.

Ассортимент товаров регулярно пополняется новинками, в связи с чем посредством параллельных микросхем памяти SRAM удовлетворить стремительно растущие потребности рынка не составит труда.

Памяти SRAM параллельные

нашлось 7 из 1 850
Производитель 10
Монтаж 2
Время доступа 32
Тип микросхемы 3
Рабочая температура 4
Емкость памяти 35
Структура памяти 54
Рабочее напряжение 29
Вид памяти 8
Ещё фильтрыСкрыть фильтров
Очистить
Пересчитываю фильтры
Фильтры Скрыть фильтры 1
Свернуть
  • Производитель: Analog Devices (MAXIM INTEGRATED)
По умолчанию
DS1225AD-150IND+, IC: память SRAM; 8Кx8бит; 5В; 70нс; DIP28; параллельный
  • 426 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 8 861 ₽
  • 12 шт. — 8 138 ₽
  • 36 шт. — 7 823 ₽
  • 60 шт. — 7 678 ₽
  • 108 шт. — 7 514 ₽
8 861 ₽
В корзину
Доступно 426 шт.
DS1245Y-70+, IC: память SRAM; 128Кx8бит; 5В; 70нс; EDIP32; параллельный
  • 317 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 15 546 ₽
  • 11 шт. — 14 298 ₽
  • 33 шт. — 13 737 ₽
  • 55 шт. — 13 481 ₽
  • 110 шт. — 13 139 ₽
15 546 ₽
В корзину
Доступно 317 шт.
DS1230Y-120+, IC: память SRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 120нс; DIP28; параллельный
  • 123 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 11 810 ₽
  • 12 шт. — 10 837 ₽
  • 36 шт. — 10 414 ₽
  • 60 шт. — 10 220 ₽
  • 108 шт. — 10 000 ₽
11 810 ₽
В корзину
Доступно 123 шт.
DS1225AD-150+, IC: память SRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 150нс; DIP28; параллельный DS1225AD-150+, IC: память SRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 150нс; DIP28; параллельный DS1225AD-150+, IC: память SRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 150нс; DIP28; параллельный DS1225AD-150+, IC: память SRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 150нс; DIP28; параллельный
  • 74 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 8 241 ₽
  • 12 шт. — 7 570 ₽
  • 36 шт. — 7 277 ₽
  • 60 шт. — 7 143 ₽
8 241 ₽
В корзину
Доступно 74 шт.
DS1225AD-200+, IC: память SRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 200нс; DIP28; параллельный
  • 21 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 8 208 ₽
  • 12 шт. — 7 540 ₽
8 208 ₽
В корзину
Доступно 21 шт.

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти