Ещё из раздела
- WV12816BLL55BLI IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- LPS12836A250TQL IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 2.6ns; QFP100; parallel; 0÷70°C
- WV12816DBLL12BLA3 IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,4÷3,6В; 12нс; TFBGA48; параллельный
- LF12832A7.5TQLA3 IC: SRAM memory; 128kx32bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
- NLP25636A200B3LITR IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; PBGA165; parallel
- LPS12836EC200B3LIT IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165; parallel
- NLP102418B200TQLI IC: память SRAM; 1Mx18бит; 3,3В; 3нс; QFP100; параллельный
- WVE4M16TBLL70BLITR IC: память SRAM; 4Mx16бит; 2,7÷3,6В; 70нс; TFBGA48; параллельный
- WV25616EDBLL10BLAT IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- LF12836A7.5B3LA3TR IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TFBGA165; parallel
- WV10248EDBLL10CTLA IC: память SRAM; 1Mx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; параллельный
- VVF409618B7.5TQL IC: SRAM memory; 4Mx18bit; 1.8V; 7.5ns; TQFP100; parallel; 0÷70°C
- LP6436A133TQLI IC: SRAM memory; 64kx36bit; 3.3V; 4ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- VVPS204818B166B3LI IC: SRAM memory; 2Mx18bit; 1.8V; 3.8ns; TFBGA165; parallel
- WV102416BLL10CTLA3 IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48; параллельный
- LF12836A7.5TQLI IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
- WVO32M8DALL200BLI IC: память SRAM; 32Mx8бит; 1,8В; TFBGA24; -40÷85°C; лоток,туба
- NLP6432A200TQLI IC: SRAM memory; 64kx32bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100; parallel
- WV102416EDBLL10TLT IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48; параллельный
- WV51216BLL10MLITR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- WV102416ALL35TLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 1,65÷2,2В; 35нс; TSOP48; параллельный
- LF51218A7.5TQLI IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
- DDB21M18C250M3L IC: память SRAM; 1Mx18бит; 1,8В; LFBGA165; параллельный; 0÷70°C
- AS6CE4016B-45BIN IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45с; TFBGA48; лоток
Памяти SRAM - микросхемы
2 031 позиция