Ещё из раздела
- AT25EU0011A-SSHN-B IC: память FLASH; 1Mб; Dual SPI; 1,65÷3,6В; SO8; туба
- AT25EU0011A-SSHN-T IC: память FLASH; 1Мб; Dual SPI; 1,65÷3,6В; SO8; бобина,лента
- AT25EU0021A-MAHN-T IC: память FLASH; 2Mб; Dual SPI; 1,65÷3,6В; uDFN8; бобина,лента
- AT25EU0021A-SSHN-B IC: память FLASH; 2Mб; Dual SPI; 1,65÷3,6В; SO8; туба
- AT25EU0021A-SSHN-T IC: память FLASH; 2Mб; Dual SPI; 1,65÷3,6В; SO8; бобина,лента
- AT25SF161B-SHD-B IC: память FLASH; 16Мб; Dual SPI; 2,5÷3,6В; SO8-W; туба
- AT25SF161B-SHD-T IC: память FLASH; 16Мб; Dual SPI; 2,5÷3,6В; SO8-W; бобина,лента
- AT25SF161B-SSHD-B IC: память FLASH; 16Мб; Dual SPI; 2,5÷3,6В; SO8; туба
- AT25SF161B-SSHD-T IC: память FLASH; 16Mб; Dual SPI; 2,5÷3,6В; SO8; бобина,лента
- AT25SF161B-UUD-T IC: память FLASH; 16Мб; Dual SPI; 2,7÷3,6В; WLCSP8; бобина,лента
- GD25D10CTIGR IC: память FLASH; 1Mб; Dual I/O,SPI; 100МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- GD25Q128EFIRR IC: память FLASH; 128Mб; Quad I/O,SPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; SOP16
- GD25Q16ESIGR IC: память FLASH; 16Mб; Quad I/O,SPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; SO8
- GD25Q32ESIGR IC: память FLASH; 32Mб; Quad I/O,SPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- GD25Q80ETIGR IC: память FLASH; 8Mб; Quad I/O,SPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- GD25Q128EYIGR IC: память FLASH; 128Мб; Quad I/O,SPI; 120МГц; 1,65÷2В; WSON8
- GD25Q16EEIGR IC: память FLASH; 16Мб; Quad I/O,SPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; USON8
- MX25L6445EM2I-10G IC: память FLASH; 64Mб; SPI; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- AT25SF321B-SHB-T IC: память FLASH; 32Mб; 108МГц; 2,7÷3,6В; SO8; последовательный
- AS25F1128MQ70SINTR IC: память FLASH; 128Мб; SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; SOP8
- AS25F1128MQ-70SIN IC: память FLASH; 128Mб; SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; SOP8
- AS25F1128MQ-70WIN IC: память FLASH; 128Mб; SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- AS25F1128MQ70WINTR IC: память FLASH; 128Мб; SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- AT25SF128A-SHB-T IC: память FLASH; 128Мб; 133МГц; 2,7÷3,6В; SO8; последовательный
Памяти FLASH - микросхемы
3 503 позицииПо умолчанию