Памяти EEPROM - микросхемы

Товаров: 1748

Сортировать:

Цене

Плитка

Список

AT24CS02-XHM-B

IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8; туба

IC: память EEPROM; I2C; 131Кx8бит; 2,5÷5,5В; 1МГц; TSSOP8

IC: память EEPROM; I2C; 64Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8

IC: EEPROM memory; SPI; 32kx8bit; 1.7÷5.5V; 20MHz; UFDFPN8; serial

IC: EEPROM memory; SPI; 128x8bit; 1.8÷5.5V; 20MHz; SO8; serial

IC: память EEPROM; I2C; 512x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; WLCSP4

IC: память EEPROM; I2C; 2048x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SOIC8

IC: EEPROM memory; I2C; 4kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz; UFDFPN8; serial

IC: память EEPROM; SPI; 128x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; SOT23-6

IC: память EEPROM; I2C; 128x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SOT23-5

IC: память EEPROM; 1-wire,I2C; 128x8бит; 1,7÷3,6В; SO8

IC: память EEPROM; I2C; 64Кx8бит; 1,7÷5,5В; 3,4МГц; SO8

IC: EEPROM memory; I2C; 2kx8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz; SO8; serial

IC: память EEPROM; 2-wire,I2C; 4Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; uDFN8

IC: память EEPROM; SPI; 64Кx8бит; 1,7÷5,5В; 16МГц; SO8

IC: память EEPROM; SPI; 64Кx8бит; 1,8÷5,5В; SO8; последовательный

Память EEPROM; I2C; 64Кx8бит; 2,5?5,5В; SO8; последовательный

IC: память EEPROM; SPI; 16Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; TDFN8

IC: память EEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; DFN8

IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; SO8

от 89 ₽

+1337 баллов

Подробнее

Предыдущая 1 2...7 8910 11...87 88 Следующая

20 50 100 200

Памяти EEPROM - микросхемы

Микросхема памяти типа EEPROM очень схожа с микросхемой PROM и для осуществления процесса стирания нуждается в электрических сигналах (разрядах). Данная электрическая стираемая программируемая память является специальным типом PROM, которая также содержит ранее записанную информацию и при отсутствующем питании в ПК.

Микросхему памяти данного типа можно без труда перезаписать без использования сторонних устройств, например, таких как программатор, работая на ПК. Уникальность EEPROM заключается в том, что микросхема способна считывать или записывать сведения побайтно, в отличие от флэш-памяти, где это происходит блоками. Побайтная запись или стирание данных несколько замедляет устройство в сравнении с блочной.

Наша компания сотрудничает с известными производителями микросхем памяти EEPROM, в связи с чем, предлагает широкий ассортимент устройств данного типа. В зависимости от предстоящего способа использования следует подбирать все основные параметры и характеристики изделия. В каталогах нашей компании данные микросхемы разделены на две группы:

последовательные;
параллельные.

С приобретённым в нашей компании устройством, все процессы стирания и заполнения новыми сведениями будут максимально эффективными и качественными даже на миллионный раз выполнения процедуры.

В основу функционирования микросхемы памяти заложен принцип изменения и регистрации электро заряда в особом изолированном кармане полупроводниковой структуры. Для организации процесса стирания или записи, значение заряда должно изменяться, это происходит между затвором и истоком большого потенциала, где должно образоваться достаточное электрическое поле для образования туннельного эффекта. Имеется возможность усилить данный эффект ускорив электроны, посредством повышения значения пропускаемого через полевой транзистор тока.

Все компании-производители, с которыми сотрудничает наша компания, гарантируют качество своей продукции, готовы предоставить все необходимые документы и сертификаты на товар. Покупатели могут рассчитывать на максимально продуктивный и длительный период эксплуатации устройства.

Способ доставки