Ещё из раздела
- 4C32M16D1A-5TANTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
- 4C32M16D1A-5TCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; бобина
- 4C32M16D1A-5TINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- 4C32M16D2A-25BANTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- 4C32M16D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C32M16D2A-25BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C32M16D3-12BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C32M16D3-12BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷95°C
- 4C32M16D3L-12BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C32M16D3L-12BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C32M16MD1A-5BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FPBGA60; -30÷85°C
- 4C32M32MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FPBGA60; -40÷85°C
- 4C4M16D1A-5TANTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
- 4C512M16D3LA-10BAN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LA-10BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LA-10BIN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LA10BANT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D3LA10BCNT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LA10BINT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D3LB-12BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LB-12BIN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LB12BCNT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LB12BINT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D4-75BCNTR IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; 0÷95°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
ALLIANCE MEMORY
- 841 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 16 833 ₽
- 10 шт. — 15 525 ₽
- 25 шт. — 15 014 ₽
- 50 шт. — 14 639 ₽
- 100 шт. — 14 636 ₽
16 833 ₽
В корзину
Доступно 841 шт.
- 837 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 20 726 ₽
- 10 шт. — 19 112 ₽
- 25 шт. — 18 483 ₽
- 50 шт. — 18 015 ₽
20 726 ₽
В корзину
Доступно 837 шт.
- 820 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 16 276 ₽
- 10 шт. — 15 021 ₽
- 25 шт. — 14 529 ₽
- 50 шт. — 14 164 ₽
- 136 шт. — 13 647 ₽
16 276 ₽
В корзину
Доступно 820 шт.
- 762 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 25 415 ₽
- 10 шт. — 23 422 ₽
- 25 шт. — 22 648 ₽
- 50 шт. — 22 074 ₽
25 415 ₽
В корзину
Доступно 762 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 760 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 13 747 ₽
- 10 шт. — 11 665 ₽
- 25 шт. — 11 214 ₽
- 50 шт. — 10 909 ₽
- 100 шт. — 10 621 ₽
13 747 ₽
В корзину
Доступно 760 шт.
- 719 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 601 ₽
- 10 шт. — 2 415 ₽
- 25 шт. — 2 340 ₽
- 50 шт. — 2 284 ₽
- 190 шт. — 2 177 ₽
2 601 ₽
В корзину
Доступно 719 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 680 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 20 363 ₽
- 10 шт. — 18 778 ₽
- 25 шт. — 18 160 ₽
- 50 шт. — 17 701 ₽
20 363 ₽
В корзину
Доступно 680 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 649 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 6 157 ₽
- 5 шт. — 5 386 ₽
- 10 шт. — 4 463 ₽
- 25 шт. — 4 001 ₽
- 50 шт. — 3 694 ₽
6 157 ₽
В корзину
Доступно 649 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 626 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 651 ₽
- 10 шт. — 2 460 ₽
- 25 шт. — 2 384 ₽
- 50 шт. — 2 327 ₽
- 190 шт. — 2 217 ₽
2 651 ₽
В корзину
Доступно 626 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 602 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 20 726 ₽
- 10 шт. — 19 112 ₽
- 25 шт. — 18 483 ₽
- 50 шт. — 18 015 ₽
20 726 ₽
В корзину
Доступно 602 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 591 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 5 686 ₽
- 5 шт. — 4 975 ₽
- 10 шт. — 4 122 ₽
- 25 шт. — 3 696 ₽
- 50 шт. — 3 411 ₽
5 686 ₽
В корзину
Доступно 591 шт.