Ещё из раздела
- AS4C128M8D3B-12BAN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- AS4C16M16D1-5BCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C; бобина
- AS4C16M16D1-5BINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; бобина
- AS4C16M16SA-6BAN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C16M16SA-6BANTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C16M16SA-6BINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C16M16SA-6TAN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C16M16SA-6TANTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C16M16SA-7BCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54; 0÷70°C
- AS4C16M16SB-6TIN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C16M16SB-6TINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C16M16SB-7TCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C16M16SB-7TCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C16M32MD1-5BIN IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C1G8D3LA-10BCN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C1G8D3LA-10BIN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1G8D4-75BCN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C1G8D4-75BCNTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C1G8D4-75BIN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1G8D4-75BINTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1M16S-6TCNTR IC: память DRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II; 0÷70°C
- AS4C2M32D1A-5BCNTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; 0÷70°C; бобина
- AS4C2M32D1A-5BINTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; -40÷85°C; бобина
- AS4C2M32S-6BINTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TFBGA90; -40÷85°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
ALLIANCE MEMORY
- 841 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 16 833 ₽
- 10 шт. — 15 525 ₽
- 25 шт. — 15 014 ₽
- 50 шт. — 14 639 ₽
- 100 шт. — 14 636 ₽
16 833 ₽
В корзину
Доступно 841 шт.
- 837 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 20 726 ₽
- 10 шт. — 19 112 ₽
- 25 шт. — 18 483 ₽
- 50 шт. — 18 015 ₽
20 726 ₽
В корзину
Доступно 837 шт.
- 820 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 16 276 ₽
- 10 шт. — 15 021 ₽
- 25 шт. — 14 529 ₽
- 50 шт. — 14 164 ₽
- 136 шт. — 13 647 ₽
16 276 ₽
В корзину
Доступно 820 шт.
- 762 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 25 415 ₽
- 10 шт. — 23 422 ₽
- 25 шт. — 22 648 ₽
- 50 шт. — 22 074 ₽
25 415 ₽
В корзину
Доступно 762 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 760 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 13 747 ₽
- 10 шт. — 11 665 ₽
- 25 шт. — 11 214 ₽
- 50 шт. — 10 909 ₽
- 100 шт. — 10 621 ₽
13 747 ₽
В корзину
Доступно 760 шт.
- 719 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 601 ₽
- 10 шт. — 2 415 ₽
- 25 шт. — 2 340 ₽
- 50 шт. — 2 284 ₽
- 190 шт. — 2 177 ₽
2 601 ₽
В корзину
Доступно 719 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 680 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 20 363 ₽
- 10 шт. — 18 778 ₽
- 25 шт. — 18 160 ₽
- 50 шт. — 17 701 ₽
20 363 ₽
В корзину
Доступно 680 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 649 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 6 157 ₽
- 5 шт. — 5 386 ₽
- 10 шт. — 4 463 ₽
- 25 шт. — 4 001 ₽
- 50 шт. — 3 694 ₽
6 157 ₽
В корзину
Доступно 649 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 626 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 651 ₽
- 10 шт. — 2 460 ₽
- 25 шт. — 2 384 ₽
- 50 шт. — 2 327 ₽
- 190 шт. — 2 217 ₽
2 651 ₽
В корзину
Доступно 626 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 602 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 20 726 ₽
- 10 шт. — 19 112 ₽
- 25 шт. — 18 483 ₽
- 50 шт. — 18 015 ₽
20 726 ₽
В корзину
Доступно 602 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 591 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 5 686 ₽
- 5 шт. — 4 975 ₽
- 10 шт. — 4 122 ₽
- 25 шт. — 3 696 ₽
- 50 шт. — 3 411 ₽
5 686 ₽
В корзину
Доступно 591 шт.