Ещё из раздела
- 4C128M32MD2A-25BIN IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M32MD2A-18BIN IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 533МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M16MD2A25BINT IC: память DRAM; 128Мx16бит; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M16MD2A-25BIN IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C512M4D3LC12BCNTR IC: память DRAM; 512Мx4бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C128M8D1-6TIN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 2,3÷2,7В; 166МГц; 700пс; TSOP66 II
- AS4C128M8D2A-25BCN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,7÷1,9В; 400МГц; 400пс; FBGA60; 0÷98°C
- AS4C128M8D2A-25BIN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,7÷1,9В; 400МГц; 400пс; FBGA60
- AS4C16M16MD1-6BCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,7÷1,95В; 166МГц; 6,5нс; FPBGA60
- AS4C16M16SA-6BIN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- AS4C16M16SA-7BCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6нс; TFBGA55; 0÷70°C
- AS4C16M32MD1-5BCN IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,7÷1,95В; 200МГц; 6,5нс; FBGA90
- AS4C256M16D4-75BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; 0÷95°C
- AS4C256M16D4-75BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; лоток
- AS4C256M16D4-83BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA96; 0÷95°C
- AS4C256M16D4-83BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA96; лоток
- AS4C256M8D2A-25BCN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- AS4C2M32S-6BIN IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TFBGA90; -40÷85°C
- AS4C2M32S-7BCN IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TFBGA90; 0÷70°C
- AS4C32M16MD1A-5BCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,7÷1,95В; 200МГц; 6,5нс; FPBGA60
- AS4C32M16SA-7BCN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6нс; FBGA54; 0÷70°C
- AS4C32M16SA-7BIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C32M32MD1A-5BIN IC: память DRAM; 32Mx32бит; 1,7÷1,95В; 200МГц; 6нс; FBGA90
- AS4C32M8SA-6TIN IC: память DRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
ALLIANCE MEMORY
- 1519 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 10 712 ₽
- 10 шт. — 9 898 ₽
- 25 шт. — 9 578 ₽
- 50 шт. — 9 339 ₽
- 198 шт. — 8 875 ₽
10 712 ₽
В корзину
Доступно 1 519 шт.
- 849 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 102 ₽
- 10 шт. — 1 952 ₽
- 25 шт. — 1 892 ₽
- 50 шт. — 1 847 ₽
- 108 шт. — 1 797 ₽
2 102 ₽
В корзину
Доступно 849 шт.
- 837 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 21 165 ₽
- 10 шт. — 19 517 ₽
- 25 шт. — 18 874 ₽
- 50 шт. — 18 397 ₽
21 165 ₽
В корзину
Доступно 837 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 760 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 14 038 ₽
- 10 шт. — 11 912 ₽
- 25 шт. — 11 452 ₽
- 50 шт. — 11 140 ₽
- 100 шт. — 10 846 ₽
14 038 ₽
В корзину
Доступно 760 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 680 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 20 795 ₽
- 10 шт. — 19 176 ₽
- 25 шт. — 18 545 ₽
- 50 шт. — 18 077 ₽
20 795 ₽
В корзину
Доступно 680 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 591 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 5 806 ₽
- 5 шт. — 5 080 ₽
- 10 шт. — 4 209 ₽
- 25 шт. — 3 774 ₽
- 50 шт. — 3 484 ₽
5 806 ₽
В корзину
Доступно 591 шт.
- 411 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 15 584 ₽
- 10 шт. — 14 381 ₽
- 25 шт. — 13 911 ₽
- 50 шт. — 13 561 ₽
15 584 ₽
В корзину
Доступно 411 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 401 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 914 ₽
- 10 шт. — 2 705 ₽
- 25 шт. — 2 621 ₽
- 50 шт. — 2 558 ₽
- 100 шт. — 2 495 ₽
2 914 ₽
В корзину
Доступно 401 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 396 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 4 650 ₽
- 10 шт. — 4 309 ₽
- 25 шт. — 4 174 ₽
- 50 шт. — 4 072 ₽
- 100 шт. — 3 971 ₽
4 650 ₽
В корзину
Доступно 396 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 316 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 19 350 ₽
- 10 шт. — 17 848 ₽
- 25 шт. — 17 263 ₽
- 50 шт. — 16 825 ₽
19 350 ₽
В корзину
Доступно 316 шт.
MICRON TECHNOLOGY
- 244 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 31 961 ₽
- 10 шт. — 29 442 ₽
- 25 шт. — 28 466 ₽
- 50 шт. — 27 742 ₽
31 961 ₽
В корзину
Доступно 244 шт.
- 59 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 842 ₽
- 10 шт. — 785 ₽
- 25 шт. — 762 ₽
- 50 шт. — 744 ₽
842 ₽
В корзину
Доступно 59 шт.