Ещё из раздела
- 43DR16128C-3DBLITR IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 333МГц; 15нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 46DR16640C-25DBLA2 IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷105°C
- 43TR16256B-125KBLI IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 45S32200L-7BLA2 IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; -40÷105°C
- 46DR16160B3DBLA1TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 46DR16320E-25DBLA2 IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷105°C
- 43DR86400E-3DBLI IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA60; -40÷85°C
- 43LR16800G-6BLI IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
- 43TR81024B-125KBLI IC: память DRAM; 1Гx8бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA78; -40÷95°C
- 43R16160F-5TL-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- 45S32200L-6TLA1-TR IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 166МГц; 6нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- 42S16320F-6BLI IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 167МГц; 6нс; TWBGA54; -40÷85°C
- 43TR16128CL125KBLI IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 43DR86400E25DBLITR IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60; -40÷85°C
- 42S32800J-75ETLITR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- 45S32200L-7TLA1 IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- 42RM32160E-75BLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C
- 42SM32100D-6BLI IC: память DRAM; 512Кx32битx2; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 41LV16100D-50TLI IC: память DRAM; 1Mx16бит; 50нс; TSOP50 II; -40÷85°C; параллельный
- 42S16800F-7BL-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 42S16800F-7BLI IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 43TR16128CL15HBLTR IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,5нс; TWBGA96; 0÷95°C
- 45S32800J-6BLA1-TR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 43R16160F-5BL IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TFBGA60; 0÷70°C; 2,5ВDC
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию