Ещё из раздела
- AS4C64M8D3-12BINTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C64M8D3L-12BCN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C64M8D3L-12BIN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C64M8SC-7TINTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C8M16D1-5BCNTR IC: память DRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; 0÷70°C; бобина
- AS4C8M16D1-5BINTR IC: память DRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; -40÷85°C; бобина
- AS4C8M16D1A-5TCNTR IC: память DRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; бобина
- AS4C8M16D1A-5TINTR IC: память DRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C
- AS4C8M16SA-6BAN IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C8M16SA-6BANTR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C8M16SA-6BINTR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C8M16SA-6TAN IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C8M16SA-6TANTR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C8M16SA-7BCNTR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54; 0÷70°C
- AS4C8M32SA-6BINTR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TFBGA90; -40÷85°C
- AS4C8M32SA-7BCNTR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TFBGA90; 0÷70°C
- IS42S16320F-7TLI IC: память DRAM; 32Mx16бит; 143МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- MT48LC64M8A2P-75C IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 3,3В; 133МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- MT48LC64M8A2TG-75C IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 3,3В; 133МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- 43DR16640C-3DBL IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 333МГц; 15нс; TWBGA84; 0÷85°C
- 43DR16128C-3DBLITR IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 333МГц; 15нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 46DR16640C-25DBLA2 IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷105°C
- 43TR16256B-125KBLI IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 45S32200L-7BLA2 IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; -40÷105°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию