Ещё из раздела
- 4C4M16D1A-5TANTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
- 4C512M16D3LA-10BAN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LA-10BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LA-10BIN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LA10BANT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D3LA10BCNT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LA10BINT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D3LB-12BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LB-12BIN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LB12BCNT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LB12BINT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D4-75BCNTR IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D4-75BINTR IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; бобина
- 4C512M8D3LC-12BAN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C512M8D3LC-12BCN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D3LC-12BIN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C512M8D3LC12BANTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D3LC12BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D3LC12BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-75BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-75BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-83BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-83BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C64M16D1A-6BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; FBGA60; -40÷95°C; бобина
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
- 209 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 171 ₽
- 10 шт. — 2 018 ₽
- 25 шт. — 1 956 ₽
- 50 шт. — 1 909 ₽
- 209 шт. — 1 814 ₽
2 171 ₽
В корзину
Доступно 209 шт.