Ещё из раздела
- 4C64M16D1A-6TINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- 4C64M16D2A-25BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- 4C64M16D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D2A-25BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C64M16D2B-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D3B-12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3B-12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3B-12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷85°C
- 4C64M16D3LB-12BAN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C64M16D3LB12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3LB12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3LB12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA60; -40÷85°C
- 4C64M16MD2A-25BIN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; лоток
- 4C64M32MD1-5BCNTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -25÷85°C
- 4C64M32MD1-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- 4C64M32MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; FBGA90; -40÷85°C; бобина
- 4C64M8D3L-12BCNTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C64M8D3L-12BINTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C8M32MD2A-25BCNTR IC: память DRAM; 8Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; бобина
- 4C8M32MD2A-25BPCN IC: память DRAM; 8Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; -25÷85°C; лоток
- AS4C128M8D1-6TINTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- AS4C128M8D3B-12BAN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- AS4C16M16D1-5BCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C; бобина
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
- 2191 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 658 ₽
- 10 шт. — 1 542 ₽
- 25 шт. — 1 495 ₽
- 50 шт. — 1 460 ₽
- 108 шт. — 1 421 ₽
1 658 ₽
В корзину
Доступно 2 191 шт.
- 75 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 454 ₽
- 10 шт. — 2 278 ₽
- 25 шт. — 2 208 ₽
- 50 шт. — 2 155 ₽
2 454 ₽
В корзину
Доступно 75 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 28 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 4 403 ₽
- 10 шт. — 4 079 ₽
- 25 шт. — 3 950 ₽
4 403 ₽
В корзину
Доступно 28 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 10818 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 5 888 ₽
- 10 шт. — 5 451 ₽
- 25 шт. — 5 277 ₽
- 50 шт. — 5 147 ₽
- 100 шт. — 5 019 ₽
5 888 ₽
В корзину
Доступно 10 818 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 8404 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 629 ₽
- 10 шт. — 3 364 ₽
- 25 шт. — 3 258 ₽
- 50 шт. — 3 179 ₽
- 209 шт. — 3 018 ₽
3 629 ₽
В корзину
Доступно 8 404 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 6842 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 8 301 ₽
- 10 шт. — 7 677 ₽
- 25 шт. — 7 430 ₽
- 50 шт. — 7 245 ₽
- 242 шт. — 6 836 ₽
8 301 ₽
В корзину
Доступно 6 842 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 6810 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 460 ₽
- 10 шт. — 2 284 ₽
- 25 шт. — 2 213 ₽
- 50 шт. — 2 160 ₽
- 100 шт. — 2 107 ₽
2 460 ₽
В корзину
Доступно 6 810 шт.
SAMSUNG
- 6720 шт. — 4 недели
- 1120 шт. — 3 927 ₽
- 2240 шт. — 3 909 ₽
- 3360 шт. — 3 882 ₽
- 4480 шт. — 3 864 ₽
- 5600 шт. — 3 855 ₽
3 927 ₽
В корзину
Доступно 6 720 шт.
от 1120 шт. и кратно 1120
ALLIANCE MEMORY
- 5500 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 13 376 ₽
- 10 шт. — 11 324 ₽
- 25 шт. — 10 885 ₽
- 50 шт. — 10 588 ₽
- 100 шт. — 10 308 ₽
13 376 ₽
В корзину
Доступно 5 500 шт.