Ещё из раздела
- 4C64M32MD2A-25BINT IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; бобина
- 4C32M32MD2A-25BINT IC: память DRAM; 32Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; бобина
- 4C128M32MD2A25BINT IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M32MD2A18BINT IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 533МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M32MD2A-25BIN IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M32MD2A-18BIN IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 533МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M16MD2A25BINT IC: память DRAM; 128Мx16бит; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M16MD2A-25BIN IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C512M4D3LC12BCNTR IC: память DRAM; 512Мx4бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C128M8D1-6TIN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 2,3÷2,7В; 166МГц; 700пс; TSOP66 II
- AS4C128M8D2A-25BCN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,7÷1,9В; 400МГц; 400пс; FBGA60; 0÷98°C
- AS4C128M8D2A-25BIN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,7÷1,9В; 400МГц; 400пс; FBGA60
- AS4C16M16MD1-6BCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,7÷1,95В; 166МГц; 6,5нс; FPBGA60
- AS4C16M16SA-6BIN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- AS4C16M16SA-7BCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6нс; TFBGA55; 0÷70°C
- AS4C16M32MD1-5BCN IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,7÷1,95В; 200МГц; 6,5нс; FBGA90
- AS4C256M16D4-75BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; 0÷95°C
- AS4C256M16D4-75BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; лоток
- AS4C256M16D4-83BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA96; 0÷95°C
- AS4C256M16D4-83BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA96; лоток
- AS4C256M8D2A-25BCN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- AS4C2M32S-6BIN IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TFBGA90; -40÷85°C
- AS4C2M32S-7BCN IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TFBGA90; 0÷70°C
- AS4C32M16MD1A-5BCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,7÷1,95В; 200МГц; 6,5нс; FPBGA60
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
- 2191 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 658 ₽
- 10 шт. — 1 542 ₽
- 25 шт. — 1 495 ₽
- 50 шт. — 1 460 ₽
- 108 шт. — 1 421 ₽
1 658 ₽
В корзину
Доступно 2 191 шт.
- 75 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 454 ₽
- 10 шт. — 2 278 ₽
- 25 шт. — 2 208 ₽
- 50 шт. — 2 155 ₽
2 454 ₽
В корзину
Доступно 75 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 28 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 4 403 ₽
- 10 шт. — 4 079 ₽
- 25 шт. — 3 950 ₽
4 403 ₽
В корзину
Доступно 28 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 10818 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 5 888 ₽
- 10 шт. — 5 451 ₽
- 25 шт. — 5 277 ₽
- 50 шт. — 5 147 ₽
- 100 шт. — 5 019 ₽
5 888 ₽
В корзину
Доступно 10 818 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 8404 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 629 ₽
- 10 шт. — 3 364 ₽
- 25 шт. — 3 258 ₽
- 50 шт. — 3 179 ₽
- 209 шт. — 3 018 ₽
3 629 ₽
В корзину
Доступно 8 404 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 6842 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 8 301 ₽
- 10 шт. — 7 677 ₽
- 25 шт. — 7 430 ₽
- 50 шт. — 7 245 ₽
- 242 шт. — 6 836 ₽
8 301 ₽
В корзину
Доступно 6 842 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 6810 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 460 ₽
- 10 шт. — 2 284 ₽
- 25 шт. — 2 213 ₽
- 50 шт. — 2 160 ₽
- 100 шт. — 2 107 ₽
2 460 ₽
В корзину
Доступно 6 810 шт.
SAMSUNG
- 6720 шт. — 4 недели
- 1120 шт. — 3 927 ₽
- 2240 шт. — 3 909 ₽
- 3360 шт. — 3 882 ₽
- 4480 шт. — 3 864 ₽
- 5600 шт. — 3 855 ₽
3 927 ₽
В корзину
Доступно 6 720 шт.
от 1120 шт. и кратно 1120
ALLIANCE MEMORY
- 5500 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 13 376 ₽
- 10 шт. — 11 324 ₽
- 25 шт. — 10 885 ₽
- 50 шт. — 10 588 ₽
- 100 шт. — 10 308 ₽
13 376 ₽
В корзину
Доступно 5 500 шт.