Ещё из раздела
- 4C256M16D4-75BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D4-75BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D4-83BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D4-83BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16MD4-062BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс; -40÷105°C
- 4C256M32MD4-062BAN IC: память DRAM; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс; -40÷105°C; лоток
- 4C256M8D2-25BCNTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- 4C256M8D2-25BINTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; -40÷95°C
- 4C256M8D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- 4C256M8D3LC-12BAN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C256M8D3LC-12BCN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C256M8D3LC-12BIN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C256M8D3LC12BANTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C256M8D3LC12BCNTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C256M8D3LC12BINTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C32M16D1A-5TANTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
- 4C32M16D1A-5TCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; бобина
- 4C32M16D1A-5TINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- 4C32M16D2A-25BANTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- 4C32M16D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C32M16D2A-25BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C32M16D3-12BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C32M16D3-12BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷95°C
- 4C32M16D3L-12BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
- 787 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 693 ₽
- 10 шт. — 1 575 ₽
- 25 шт. — 1 527 ₽
- 50 шт. — 1 491 ₽
- 108 шт. — 1 451 ₽
1 693 ₽
В корзину
Доступно 787 шт.
- 75 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 506 ₽
- 10 шт. — 2 326 ₽
- 25 шт. — 2 254 ₽
- 50 шт. — 2 200 ₽
2 506 ₽
В корзину
Доступно 75 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 28 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 4 497 ₽
- 10 шт. — 4 166 ₽
- 25 шт. — 4 034 ₽
4 497 ₽
В корзину
Доступно 28 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 10818 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 6 013 ₽
- 10 шт. — 5 567 ₽
- 25 шт. — 5 389 ₽
- 50 шт. — 5 257 ₽
- 100 шт. — 5 125 ₽
6 013 ₽
В корзину
Доступно 10 818 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 8404 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 706 ₽
- 10 шт. — 3 435 ₽
- 25 шт. — 3 327 ₽
- 50 шт. — 3 246 ₽
- 209 шт. — 3 082 ₽
3 706 ₽
В корзину
Доступно 8 404 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 6842 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 8 477 ₽
- 10 шт. — 7 840 ₽
- 25 шт. — 7 588 ₽
- 50 шт. — 7 399 ₽
- 242 шт. — 6 980 ₽
8 477 ₽
В корзину
Доступно 6 842 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 6810 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 512 ₽
- 10 шт. — 2 332 ₽
- 25 шт. — 2 260 ₽
- 50 шт. — 2 206 ₽
- 100 шт. — 2 152 ₽
2 512 ₽
В корзину
Доступно 6 810 шт.
SAMSUNG
- 6720 шт. — 4 недели
- 1120 шт. — 4 010 ₽
- 2240 шт. — 3 992 ₽
- 3360 шт. — 3 964 ₽
- 4480 шт. — 3 946 ₽
- 5600 шт. — 3 937 ₽
4 010 ₽
В корзину
Доступно 6 720 шт.
от 1120 шт. и кратно 1120
ALLIANCE MEMORY
- 5500 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 13 659 ₽
- 10 шт. — 11 564 ₽
- 25 шт. — 11 115 ₽
- 50 шт. — 10 812 ₽
- 100 шт. — 10 527 ₽
13 659 ₽
В корзину
Доступно 5 500 шт.