Ещё из раздела
- 4C16M32MD1-5BCNTR IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -25÷85°C
- 4C16M32MD1-5BINTR IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- 4C1G8D3LA-10BCNTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C1G8D3LA-10BINTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C256M16D3C-10BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C-10BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3C-12BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C-12BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3C-93BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C10BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C10BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3C12BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C12BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3C93BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC-10BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC-10BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC-10BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC-12BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC10BANT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC10BCNT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC10BINT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC12BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC12BANT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC12BCNT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позицияПо умолчанию
ALLIANCE MEMORY
- 2772 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 231 ₽
- 10 шт. — 2 072 ₽
- 25 шт. — 2 009 ₽
- 50 шт. — 1 961 ₽
- 100 шт. — 1 874 ₽
2 231 ₽
В корзину
Доступно 2 772 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 2000 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 703 ₽
- 10 шт. — 2 506 ₽
- 25 шт. — 2 428 ₽
- 50 шт. — 2 313 ₽
- 100 шт. — 2 256 ₽
2 703 ₽
В корзину
Доступно 2 000 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 1505 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 979 ₽
- 10 шт. — 1 841 ₽
- 25 шт. — 1 784 ₽
- 50 шт. — 1 741 ₽
- 100 шт. — 1 660 ₽
1 979 ₽
В корзину
Доступно 1 505 шт.