Ещё из раздела
- 4C256M8D3LC-12BIN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C256M8D3LC12BANTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C256M8D3LC12BCNTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C256M8D3LC12BINTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C32M16D1A-5TANTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
- 4C32M16D1A-5TCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; бобина
- 4C32M16D1A-5TINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- 4C32M16D2A-25BANTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- 4C32M16D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C32M16D2A-25BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C32M16D3-12BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C32M16D3-12BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷95°C
- 4C32M16D3L-12BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C32M16D3L-12BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C32M16MD1A-5BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FPBGA60; -30÷85°C
- 4C32M32MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FPBGA60; -40÷85°C
- 4C4M16D1A-5TANTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
- 4C512M16D3LA-10BAN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LA-10BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LA-10BIN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LA10BANT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D3LA10BCNT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LA10BINT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D3LB-12BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
- 2424 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 628 ₽
- 10 шт. — 2 436 ₽
- 25 шт. — 2 360 ₽
- 50 шт. — 2 249 ₽
- 100 шт. — 2 194 ₽
2 628 ₽
В корзину
Доступно 2 424 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2415 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 133 ₽
- 100 шт. — 127 ₽
- 500 шт. — 126 ₽
133 ₽
В корзину
Доступно 2 415 шт.
STMicroelectronics
- 2408 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 103 ₽
- 25 шт. — 82 ₽
- 250 шт. — 62 ₽
103 ₽
В корзину
Доступно 2 408 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2407 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 128 ₽
- 100 шт. — 121 ₽
- 1000 шт. — 114 ₽
128 ₽
В корзину
Доступно 2 407 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2406 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 82 ₽
- 25 шт. — 80 ₽
- 100 шт. — 79 ₽
82 ₽
В корзину
Доступно 2 406 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2400 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 73 ₽
- 2400 шт. — 67 ₽
73 ₽
В корзину
Доступно 2 400 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 2400 шт. — 4 недели
- 222 шт. — 56 ₽
- 300 шт. — 47 ₽
- 500 шт. — 45 ₽
- 1000 шт. — 43.5 ₽
56 ₽
В корзину
Доступно 2 400 шт.
от 222 шт. и кратно 222
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2392 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 71 ₽
- 25 шт. — 69 ₽
- 100 шт. — 66 ₽
71 ₽
В корзину
Доступно 2 392 шт.
- 2392 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 583 ₽
- 3 шт. — 1 550 ₽
- 10 шт. — 1 496 ₽
- 25 шт. — 1 409 ₽
- 50 шт. — 1 367 ₽
1 583 ₽
В корзину
Доступно 2 392 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2389 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 66 ₽
- 25 шт. — 64 ₽
66 ₽
В корзину
Доступно 2 389 шт.
- 2385 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 159 ₽
- 10 шт. — 1 079 ₽
- 25 шт. — 1 045 ₽
- 50 шт. — 999 ₽
- 100 шт. — 975 ₽
1 159 ₽
В корзину
Доступно 2 385 шт.
STMicroelectronics
- 2310 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 45 ₽
- 500 шт. — 37 ₽
45 ₽
В корзину
Доступно 2 310 шт.