Ещё из раздела
- MX30LF2G28AD-XKITR IC: память FLASH; 2Гб; 20нс; 2,7÷3,6В; VFBGA63; параллельный
- NLF25618A7.5TQLI IC: SRAM memory; 256kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
- LPS51236B200TQLITR IC: SRAM memory; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel; -40÷85°C
- LE25U20AQGTXG IC: память FLASH; 2Мб; 30МГц; 2,3÷3,6В; WDFN8; последовательный
- CAT25020HU4I-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; uDFN8
- 43TR16128CL125KBLI IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- MX25U6435FBBI10GTR IC: память FLASH; 64Мб; QPI,SPI; 8Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; WLCSP12
- 43DR86400E25DBLITR IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60; -40÷85°C
- 42S32800J-75ETLITR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- X25L12872FM2I10GTR IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- NV24C16UVLT2G IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; US8; бобина,лента
- N24C16UDTG IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,6÷5,5В; 1МГц; US8; бобина,лента
- WV5128BLL10BLITR IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA36; параллельный
- 45S32200L-7TLA1 IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- MX25L3273FM2I08GTR IC: память FLASH; 32Мб; SPI; 4Mx8бит; 133МГц; 2,65÷3,6В; SOP8
- 25LP064D-JLLE-TR IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- WV6416BLL55BLI IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; MBGA48; параллельный
- MX29GL256FHXFI-90Q IC: память FLASH; 90нс; LFBGA64; параллельный
- MX25L51245GMI-10G IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 166МГц; 2,7÷3,6В
- CAT24C16YI-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 2048x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; TSSOP8
- 42RM32160E-75BLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C
- M95128-DFMC6TG IC: память EEPROM; SPI; 16Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц; UFDFPN8
- WV102416BLL10MLA3T IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- LF51236B7.5TQLI IC: SRAM memory; 512kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Памяти - микросхемы
11 623 позиции