Ещё из раздела
- WVE2M16TCLL70BLITR IC: память SRAM; 2Mx16бит; 1,7÷1,95/2,7÷3,6В; 70нс; TFBGA48
- C1024AL45QLA3 IC: память SRAM; 128Кx8бит; 5В; 45нс; SOP32; параллельный
- 43DR82560C-3DBL IC: DRAM memory; 32Mx8bitx8; 333MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷85°C; parallel
- MX25L6433FZNI-08Q IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 133МГц; 2,65÷3,6В; WSON8
- AS6CE4016B-45BINTR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45с; TFBGA48; бобина,лента
- 25LP064D-JBLE IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 43DR16160B-3DBL IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA84; 0÷85°C
- WV51216BLL10MLI IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- 25WP064A-JBLE-TR IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- C25616AL12CTLA3TR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; параллельный
- 42VM32160E-6BLI-TR IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C
- WVC4M16EALL7010BLI IC: память SRAM; 4Mx16бит; 1,7÷1,95В; 70нс; VFBGA54; параллельный
- WVE2M16ECLL70BLITR IC: память SRAM; 2Mx16бит; 1,7÷1,95/2,7÷3,6В; 70нс; TFBGA48
- 43LR16320C-6BLI IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
- 25LP256D-JHLE IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; TFBGA24
- 42S16160J-7TL-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- 43DR16160B-3DBLITR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 25LX064-JHLA3-TR IC: память FLASH; 64Мб; xSPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; TFBGA24
- 43R16320F-5TLI-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- WV51216EFBLL45BLIT IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; VFBGA48; параллельный
- CAT25010VI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; SOIC8
- MX25U25645GGAI00TY IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В
- CAT25512YI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 64Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
- 43TR16128C-125KBL IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; 0÷95°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию