Ещё из раздела
- WVE2M16EBLL70BLI IC: память SRAM; 2Mx16бит; 2,7÷3,6В; 70нс; TFBGA48; параллельный
- MX68GL1G0FDXFI-12G IC: память FLASH; 120нс; LFBGA64; параллельный
- 42S32800J-75ETL IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TSOP86 II; 0÷70°C
- 45S16320F-7CTLA2TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷105°C
- LPS25618EC200TQLI IC: SRAM memory; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
- MX25U3235FM2I10GTR IC: память FLASH; 32Мб; QPI,SPI; 4Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; SOP8
- 45S16800F-6TLA1-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- WVH8M8BLL100B1LI IC: память SRAM; 8Mx8бит; 3В; 40нс; TFBGA24; параллельный; -40÷85°C
- MX35LF2GE4AD-Z4ITR IC: память FLASH; 2Гб; SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- C1024AL45TLA3 IC: память SRAM; 128Кx8бит; 5В; 45нс; TSOP32; параллельный
- M34F04-WMN6TP IC: память EEPROM; I2C; 512x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SO8
- MX25L6473EBBI10GTR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; WLCSP12
- 42S16160J-6BLI-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 42S32400F-6TLI-TR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- MX25L6435EM2I-10G IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- 25LP256E-RHLA3 IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; TFBGA24
- 45S16800F-6BLA1 IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- WVH8M8ALL166B1LI IC: память SRAM; 8Mx8бит; 1,8В; 36нс; TFBGA24; параллельный
- X68GL1G0FLXFI11GTR IC: память FLASH; 110нс; LFBGA64; параллельный
- MX25U12872FZNI02TR IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В; WSON8
- 42S16800F-7BLI-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 29GL128-70DLET-TR IC: память FLASH; CFI,parallel; 70нс; LFBGA64; параллельный
- CAT24M01HU5I-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 128Кx8бит; 1,8÷5,5В; 1МГц; uDFN8
- X25L25645GZ2I10GTR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 120МГц; 2,7÷3,6В
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию