Ещё из раздела
- 61C5128AL10KLITR IC: память SRAM; 512Кx8бит; 5В; 10нс; SOJ36; параллельный; -40÷85°C
- 61C5128AL10KLI IC: память SRAM; 512Кx8бит; 5В; 10нс; SOJ36; параллельный; -40÷85°C
- 61C3216AL12TLITR IC: память SRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; параллельный
- 61C3216AL12TLI IC: память SRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; параллельный
- 61C3216AL12KLI IC: память SRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; параллельный; -40÷85°C
- 61C25616AS25TLITR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 5В; 25нс; TSOP44 II; параллельный
- 61C25616AL10TLITR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II; параллельный
- 61C25616AL10TLI IC: память SRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II; параллельный
- 61C25616AL10KLITR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; параллельный
- 61C25616AL10KLI IC: память SRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; параллельный
- 61C1024AL-12KLI Память SRAM; SRAM; 128Кx8бит; 5В; 12нс; SOJ32; параллельный
- 4C64M32MD2A-25BINT IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; бобина
- 4C32M32MD2A-25BINT IC: память DRAM; 32Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; бобина
- 4C128M32MD2A25BINT IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M32MD2A18BINT IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 533МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M32MD2A-25BIN IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M32MD2A-18BIN IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 533МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M16MD2A25BINT IC: память DRAM; 128Мx16бит; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M16MD2A-25BIN IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 24FC04T-I/OT IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит x2; 1,7÷5,5В; 1МГц; SOT23-5
- 24FC04-I/ST IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит x2; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- 24FC04-I/SN IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит x2; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8
- 24FC04-I/P IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит x2; 1,7÷5,5В; 1МГц; DIP8
- 24FC04-I/MS IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит x2; 1,7÷5,5В; 1МГц; MSOP8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию