Ещё из раздела
- 43R16160F-6TL IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- MX25V1006FM1I/TR IC: память FLASH; 1Мб; SPI; 128Кx8бит; 80МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
- 42S32800J-7BL-TR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 25WP080D-JULE-TR IC: память FLASH; 8Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; USON8
- MX25R6435FZAIH0 IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 80МГц; 1,65÷3,6В; USON8
- WV51216GBLL45TLITR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP48; параллельный
- LPS12832A200TQLA3 IC: SRAM memory; 128kx32bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
- MX25V1035FM1I IC: память FLASH; 1Мб; SPI; 128Кx8бит; 108МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
- 42SM32400H-75BLI IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA90; -40÷85°C
- NLP25636B200B3LI IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165; parallel
- 25LC256-I/ST IC: память EEPROM; SPI; 32Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; TSSOP8
- 43TR16256BL-107MBL IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1066МГц; 13,91нс; TWBGA96; 0÷95°C
- MX25L6435EM2I10GTR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- WV102416ALL20MLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 1,65÷2,2В; 20нс; TFBGA48; параллельный
- CAV24C512YE-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- MX25V1006FM1I IC: память FLASH; 1Мб; SPI; 128Кx8бит; 80МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
- 43TR16512B-125KBLI IC: память DRAM; 512Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 43TR16128DL125KBLI IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 25LP064A-JBLE-TR IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 25WP032D-JBLA3-TR IC: память FLASH; 32Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- 25WP128F-RHLA3-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; TFBGA24
- 25LP128F-JKLE IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- 42S16400J-6BL IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 25LP032D-JMLE-TR IC: память FLASH; 32Мб; DTR,QPI,SPI; 2,3÷3,6В; SO16; бобина,лента
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию