Ещё из раздела
- AT28LV010-20JU-319 IC: память EEPROM; 128Кx8бит; 3÷3,6В; PLCC32; параллельный; 200нс
- AT28LV010-20JU-630 IC: память EEPROM; 128Кx8бит; 3÷3,6В; PLCC32; параллельный; 200нс
- AT28LV010-20TU IC: память EEPROM; 128Кx8бит; 3÷3,6В; TSOP28; параллельный; 200нс
- AT28LV010-20TU-235 Память; EEPROM; parallel 8bit; 128Кx8бит; 3?3,6В; TSOP28; -40?85°C
- AT28LV010-20TU-319 IC: память EEPROM; 128Кx8бит; 3÷3,6В; TSOP28; параллельный; 200нс
- AT28LV010-20TU-630 IC: память EEPROM; 128Кx8бит; 3÷3,6В; TSOP28; параллельный; 200нс
- 25LF020A-33SAE IC: память FLASH; 2Mб; SPI; 33МГц; 3÷3,6В; SO8; последовательный
- 25PF020B-80CQAE IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 80МГц; 2,3÷3,6В; TDFN8
- 25PF020B-80CSAE IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 80МГц; 2,3÷3,6В; SO8; последовательный
- 25VF010A-33SAE IC: память FLASH; 1Мб; SPI; 33МГц; 2,7÷3,6В; SO8; последовательный
- 25VF020B-80QAE IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 25VF020B-80SAE IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SO8; последовательный
- 25VF020B80QAET IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 25VF020B80SAET IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SO8; последовательный
- 25VF040B-50S2AE IC: память FLASH; 4Mб; SPI; 50МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W
- 25VF512A-33CSAE IC: память FLASH; 512кб; SPI; 33МГц; 2,7÷3,6В; SO8
- 25VF512A-33SAE IC: память FLASH; 512кб; SPI; 33МГц; 2,7÷3,6В; SO8
- 25VF512A33QAET IC: память FLASH; 512kб; SPI; 33МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 25VF512A33SAET IC: память FLASH; 512кб; SPI; 33МГц; 2,7÷3,6В; SO8
- 25WF040B-40I/SN IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 40МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- 25WF080B-40I/SN IC: память FLASH; 8Mб; SPI; 40МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- 26VF016-80QAE IC: память FLASH; 16Мб; SQI; 80МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 26VF016-80S2AE IC: память FLASH; 16Mб; SQI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W
- 26VF01680QAET IC: память FLASH; 16Мб; SQI; 80МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию