Ещё из раздела
- AT45DB641E-MWHNY IC: память FLASH; 64Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8; лоток
- AT45DB641E-SHN-B IC: память FLASH; 64Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W; туба
- AT45DB641E-SHN2BT IC: память FLASH; 64Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W
- AT45DB641E-SHNB Память: Serial Flash; 64Мбит; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7?3,6В; SO8-W
- AT45DB641E-SHNT IC: память FLASH; 64Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W
- AT45DB641E-UUN2BT IC: память FLASH; 64Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; UBGA9
- AT45DQ161-CCUFT Память FLASH; 16Мбит; Quad-Output Read,Quad-input Buffer Write
- AT45DQ161-MHF2BT IC: память FLASH; 16Мб; 85МГц; 2,3÷3,6В; uDFN8; последовательный
- AT45DQ161-MHFT IC: память FLASH; 16Мб; 85МГц; 2,3÷3,6В; uDFN8; последовательный
- AT45DQ161-MHFY IC: память FLASH; 16Mб; 85МГц; 2,3÷3,6В; uDFN8; последовательный
- AT45DQ161-SHF2BT IC: память FLASH; 16Mб; 85МГц; 2,3÷3,6В; SO8-W; последовательный
- AT45DQ161-SHFB IC: память FLASH; 16Mб; 85МГц; 2,3÷3,6В; SO8-W; последовательный
- 24VL024H/ST IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,5÷3,6В; 400кГц; TSSOP8
- 24VL025/MS IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,5÷3,6В; 400кГц; MSOP8
- 24VL025/P IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,5÷3,6В; 400кГц; DIP8
- 24VL025/SN IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,5÷3,6В; 400кГц; SO8
- 24VL025/ST IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,5÷3,6В; 400кГц; TSSOP8
- 24VL025T/MNY IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,5÷3,6В; 400кГц; DFN8
- 24VL025T/OT IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,5÷3,6В; 400кГц; SOT23-6
- 25A512-I/P Память EEPROM; SPI; 64Кx8бит; 1,7?3В; 10МГц; DIP8
- 25A512-I/SN IC: память EEPROM; SPI; 64Кx8бит; 1,7÷3В; 10МГц; SO8
- 25A512-I/ST IC: память EEPROM; SPI; 64Кx8бит; 1,7÷3В; 10МГц; TSSOP8
- 25AA010A-I/MS IC: память EEPROM; SPI; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц; MSOP8
- 25AA010A-I/P IC: память EEPROM; SPI; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц; DIP8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию