Ещё из раздела
- AS4C4M16SA-6TCNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M16SA-6TIN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4с; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C4M16SA-6TINTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C4M16SA-7TCN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4с; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M16SA-7TCNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M32D1A-5BCN IC: память DRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144; 0÷70°C; лоток
- AS4C4M32D1A-5BIN IC: память DRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144; -40÷85°C
- AS4C4M32SA-6TCN IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP86; 0÷70°C
- AS4C4M32SA-6TCNTR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP86; 0÷70°C
- AT27BV010-90JU IC: память EPROM; 128Кx8бит; 2,7÷3,6В; 90нс; PLCC32; параллельный
- AT27BV1024-90JU IC: память EPROM; 64Кx16бит; 2,7÷3,6В; 90нс; PLCC44; параллельный
- AT27BV256-70JU IC: память EPROM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 70нс; PLCC32; параллельный
- AT27C010-45JU IC: память EPROM; 128Кx8бит; 5В; 45нс; PLCC32; параллельный
- AT27C010-70JU IC: память EPROM; 128Кx8бит; 5В; 70нс; PLCC32; параллельный
- AT27C010-70PU IC: память EPROM; 128Кx8бит; 5В; 70нс; DIP32; параллельный
- AT27C020-55JU IC: память EPROM; 256Кx8бит; 5В; 55нс; PLCC32; параллельный
- AT27C020-55PU IC: память EPROM; 256Кx8бит; 5В; 55нс; DIP32; параллельный
- AT27C020-90JU IC: память EPROM; 256Кx8бит; 5В; 90нс; PLCC32; параллельный
- AT27C020-90PU IC: память EPROM; 256Кx8бит; 5В; 90нс; DIP32; параллельный
- AT27C040-70JU IC: память EPROM; 512Кx8бит; 5В; 70нс; PLCC32; параллельный
- AT27C040-70PU IC: память EPROM; 512Кx8бит; 5В; 70нс; DIP32; параллельный
- AT27C040-90JU IC: память EPROM; 512Кx8бит; 5В; 90нс; PLCC32; параллельный
- AT27C080-90JU IC: память EPROM; 1Mx8бит; 5В; 90нс; PLCC32; параллельный
- AT27C080-90PU IC: память EPROM; 1Mx8бит; 5В; 90нс; DIP32; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позиции