Ещё из раздела
- AS7C1026B-15TIN IC: память SRAM; 16Кx8бит; 5В; 15нс; TSOP44 II
- 29GL128-70FLET IC: память FLASH; CFI,parallel; 70нс; LFBGA64; параллельный
- MX25U1635EZUI-10G IC: память FLASH; 16Мб; QPI,SPI; 2Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; USON8
- 25LP256E-JLLA3 IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- MX66L1G45GXDI-08G IC: память FLASH; 1Гб; DTR,QPI,SPI; 128Мx8бит; 166МГц; 2,7÷3,6В
- 25LP080D-JKLE-TR IC: память FLASH; 8Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- MX25L6406EMI-12GTR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; SOP16
- 25LP064A-JKLE-TR IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- VPS102418B250TQL IC: память SRAM; лоток,туба
- 25WP128-JBLE-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- 25WP512M-JLLE IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 112МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- 11AA020-I/P IC: память EEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; DIP8
- 43R16160F-5TLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- 42SM16400M-75BLI IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 42S32160F-6TLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TSOP86 II; -40÷85°C
- QDB42M36A300M3L IC: SRAM memory; 2Mx36bit; 1.8V; LFBGA165; parallel; 0÷70°C
- 42S16400J-6TLI-TR IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- CAT24C64C4CTR IC: память EEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; WLCSP4
- X25L25635FZ2I10GTY IC: память FLASH; 256Мб; QPI,SPI; 32Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- WV102416BLL10TLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48; параллельный
- WV51216GBLL45TLI IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP48; параллельный
- C25616AL12CTLA3 IC: память SRAM; 256Кx16бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; параллельный
- 43DR16160B-25DBLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- CAV24M01YE-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию