Ещё из раздела
- 43LR16800G-6BL IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; 0÷70°C
- WV12816BLL55BLI IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- X25L51245GXDI10GTR IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 133МГц; 2,7÷3,6В
- 43LR16800G-6BLI-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
- MX29LV400CBXBI-70G IC: память FLASH; 70нс; TFBGA48; параллельный
- 25LP064D-JKLE-TR IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- LPS12836A250TQL IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 2.6ns; QFP100; parallel; 0÷70°C
- WV12816DBLL12BLA3 IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,4÷3,6В; 12нс; TFBGA48; параллельный
- 42S83200J-6TLI IC: память DRAM; 8Mx8битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 25WP016D-JBLA3 IC: память FLASH; 16Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- LF12832A7.5TQLA3 IC: SRAM memory; 128kx32bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
- 25WP128F-JBLE IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- MX25L25635EMI12GTR IC: память FLASH; 256Мб; SPI; 32Mx8бит; 80МГц; 2,7÷3,6В; SOP16
- 43LD32160A-25BLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 400MHz; 18ns; TFBGA134; -40÷85°C
- CAT25256YI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 32Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
- CAV25M01VE-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; SOIC8
- 43R16320F-6BLI IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TWBGA60; -40÷85°C; 2,5ВDC
- MX25L1606EZUI-12G IC: память FLASH; 16Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; USON8
- X25L12845GZ2I08GTR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 16Mx8бит; 120МГц; 2,7÷3,6В
- MX25L6406EZNI12GTR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- CAT24AA02TDI-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSOT23-5
- MX25R1635FZNIH0TY IC: память FLASH; 16Мб; SPI; 2Mx8бит; 80МГц; 1,65÷3,6В; WSON8
- MX30UF4G18AC-TI IC: память FLASH; 25нс; TSOP48; параллельный
- MX25V4035FM2I/TUBE IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 512Кx8бит; 108МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию