Ещё из раздела
- 24AA01-I/P IC: память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; DIP8
- 24AA01-I/SN IC: память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; SO8
- 24AA01-I/ST Память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; TSSOP8
- 24AA014-I/MC IC: память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; DFN8
- 24AA014-I/MS IC: память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; MSOP8
- AS6C6264A-70SCN IC: память SRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 70нс; SOP28; параллельный
- AS6C6264A-70SCNTR IC: память SRAM; 8Кx8бит; 5В; 70нс; SOP28; параллельный; 330mils
- AS6C6264A-70SIN IC: память SRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 70нс; SOP28; параллельный
- AS6C6264A-70SINTR IC: память SRAM; 8Кx8бит; 5В; 70нс; SOP28; параллельный; 330mils
- AS6C8008-55BIN IC: память SRAM; 1024Кx8бит; 2,7÷5,7В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- AS6C8008-55BINTR IC: память SRAM; 1024Кx8бит; 2,7÷5,8В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- AS6C8008-55ZIN IC: память SRAM; 1024Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II; 400mils
- AS6C8008-55ZINTR IC: память SRAM; 1024Кx8бит; 2,7÷5,6В; 55нс; TSOP44 II; 400mils
- AS6C8016-55BIN IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,7÷5В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- AS6C8016-55BINTR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,7÷5В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- AS6C8016-55ZIN IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,7÷5В; 55нс; TSOP44 II; параллельный
- AS6C8016-55ZINTR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,7÷5В; 55нс; TSOP44 II; параллельный
- AS6C8016A-55BIN Память SRAM; SRAM,асинхронная; 512Кx16бит; 3?3,6В; 55нс; TFBGA48
- AS6C8016A-55BINTR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- AS6C8016A-55ZIN Память SRAM; SRAM,асинхронная; 512Кx16бит; 3?3,6В; 55нс
- AS6C8016A-55ZINTR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44 II; параллельный
- AS7C1024B-12JCN IC: память SRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ32; параллельный
- AS7C1024B-12JCNTR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 5В; 12нс; SOJ32; параллельный; 400mils
- AS7C1024B-12JIN IC: память SRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ32; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию