Ещё из раздела
- 24AA04-I/MC IC: память EEPROM; I2C; 2x256Кx8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; DFN8
- 24AA04-I/MS IC: память EEPROM; I2C; 2x256Кx8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; MSOP8
- 26VF016B-104I/SM IC: память FLASH; 16Mб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W
- 26VF016B-104V/SM IC: память FLASH; 16Мб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8-W
- 26VF016BT-104I/MF IC: память FLASH; 16Мб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 26VF016BT-104I/SM IC: память FLASH; 16Мб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W
- 26VF032B-104I/MF IC: память FLASH; 32Mб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 26VF032B-104I/SM IC: память FLASH; 32Мб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W
- 26VF032BA-104I/MF Память FLASH; 32Мбит; SPI,SPI x2,SQI; 104МГц; 2,7?3,6В; TDFN8
- 26VF032BA-104I/SM IC: память FLASH; 32Mб; SPI,SPI x2,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W
- 26VF032BT-104I/MF IC: память FLASH; 32Mб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 26VF032BT-104I/SM IC: память FLASH; 32Мб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W
- 26VF064B-104I/MN IC: память FLASH; 64Mб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 26VF064B-104I/SM IC: память FLASH; 64Mб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W
- 26VF064B-104I/SO IC: память FLASH; 64Мб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; SO16
- 26VF064BT-104I/MN IC: память FLASH; 64Мб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 26VF064BT-104I/SM IC: память FLASH; 64Мб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W
- 26VF064BT-104I/SO IC: память FLASH; 64Мб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; SO16
- 26WF016B-104I/MF IC: память FLASH; 16Mб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 1,65÷1,95В; TDFN8
- 26WF016B-104I/SN IC: память FLASH; 16Mб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- 26WF040B-104I/MF IC: память FLASH; 4Mб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 1,65÷1,95В; WDFN8
- 26WF040B-104I/SN IC: память FLASH; 4Мб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- AS7C1026B-12TCN IC: память SRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
- AS7C1026B-12TCNTR IC: память SRAM; 64Кx16бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию