Ещё из раздела
- 42S32160F-75ETLITR IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TSOP86 II; -40÷85°C
- 43DR16640C25DBLITR IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- NLP102418B200B3LI IC: память SRAM; 1Mx18бит; 3,3В; 3нс; TFBGA165; параллельный
- MX25L51245GZ2I-08G IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 166МГц; 2,7÷3,6В
- MX25L3233FZBI08GTR IC: память FLASH; 32Мб; SPI; 4Mx8бит; 133МГц; 2,65÷3,6В; USON8
- 42S32400F-7BLI-TR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 39VF3201B-70EKE IC: память FLASH; 2Mx16бит; 70нс; TSOP48; параллельный
- MX25UM51245GXDI00 IC: память FLASH; 512Мб; DTR,SPI; 64Мx8бит; 200МГц; 1,65÷2В; BGA24
- WV102416EBLL45BLIT IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; VFBGA48; параллельный
- 43R16320F-5TLI IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- 25WP020E-JNLE-TR IC: память FLASH; 2Мб; QPI,SPI; 104МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- LPS51218B200TQLI IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
- 42S16100H-6BL-TR IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 166МГц; 6нс; TFBGA60; 0÷70°C
- 42S16400J-7BLI-TR IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 43TR16256BL107MBLI IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1066МГц; 13,91нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 25LP064A-JLLE-TR IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- 43QR16256B-083RBL IC: память DRAM; 256Мx16бит; 13,32нс; TWBGA96; 0÷95°C; лоток,туба
- MX25U8035EZUI-10G IC: память FLASH; 8Мб; QPI,SPI; 1Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; USON8
- NLP51236B200TQLITR IC: SRAM memory; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel; -40÷85°C
- 42S16100H-6TL-TR IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 166МГц; 6нс; TSOP50 II; 0÷70°C
- M24C16-FDW6TP IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; TSSOP8
- 25WP128F-JBLA3 IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- 45S16800F-6TLA1 IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- WV102416FBLL10T2LI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP54 II; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позиции