Ещё из раздела
- 24VL024/P IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,5÷3,6В; 400кГц; DIP8
- 24VL024/SN IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,5÷3,6В; 400кГц; SO8
- 24VL024/ST IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,5÷3,6В; 400кГц; TSSOP8
- 24VL024H/MS IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,5÷3,6В; 400кГц; MSOP8
- 24VL024H/P IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,5÷3,6В; 400кГц; DIP8
- AT45DB641E-CCUN2BT Память FLASH; 64Мбит; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; UBGA9
- AT45DB641E-CCUNT Память FLASH; 64Мбит; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; UBGA9
- AT45DB641E-MHN-Y Память: Serial Flash; 64Мбит; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7?3,6В; uDFN8
- AT45DB641E-MHN2BT IC: память FLASH; 64Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8
- AT45DB641E-MHNT IC: память FLASH; 64Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8
- AT45DB641E-MHNY IC: память FLASH; 64Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8; лоток
- AT45DB641E-MWHN2BT IC: память FLASH; 64Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8
- AT45DB641E-MWHNT IC: память FLASH; 64Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8
- AT45DB641E-MWHNY IC: память FLASH; 64Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8; лоток
- AT45DB641E-SHN-B IC: память FLASH; 64Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W; туба
- AT45DB641E-SHN2BT IC: память FLASH; 64Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W
- AT45DB641E-SHNB Память: Serial Flash; 64Мбит; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7?3,6В; SO8-W
- AT45DB641E-SHNT IC: память FLASH; 64Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W
- AT45DB641E-UUN2BT IC: память FLASH; 64Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,7÷3,6В; UBGA9
- AT45DQ161-CCUFT Память FLASH; 16Мбит; Quad-Output Read,Quad-input Buffer Write
- AT45DQ161-MHF2BT IC: память FLASH; 16Мб; 85МГц; 2,3÷3,6В; uDFN8; последовательный
- AT45DQ161-MHFT IC: память FLASH; 16Мб; 85МГц; 2,3÷3,6В; uDFN8; последовательный
- AT45DQ161-MHFY IC: память FLASH; 16Mб; 85МГц; 2,3÷3,6В; uDFN8; последовательный
- AT45DQ161-SHF2BT IC: память FLASH; 16Mб; 85МГц; 2,3÷3,6В; SO8-W; последовательный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию