Ещё из раздела
- 45S16400J-6TLA1 IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- MX29GL512FLXGI-10Q IC: память FLASH; 100нс; FBGA56; параллельный
- 43TR16K01S2AL125K IC: память DRAM; 1Гx16бит; 800МГц; 13,75нс; LWBGA96; -40÷95°C
- M24256-DFDW6TP IC: память EEPROM; I2C; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- MX25L4006EZUI12GTR IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; USON8
- NV25640DWHFT3G IC: память EEPROM; SPI; 8Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; SOIC8
- LPD51236A200TQLI IC: SRAM memory; 512kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100; parallel
- 43LR16400C-6BLI IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
- MX25R8035FBDIL0/TR IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 1Mx8бит; 33МГц; 1,65÷3,6В; WLCSP8
- M95640-DFDW6TP IC: память EEPROM; SPI; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
- M24C64-DFMC6TG IC: память EEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; UFDFPN8
- MX29GL320ETXEI-70G IC: память FLASH; 70нс; LFBGA48; параллельный
- M95P16-IXMNT/E IC: память EEPROM; SPI; 2Mx8бит; 1,6÷3,6В; SO8; последовательный
- 25LP064D-JBLA3 IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- MX29GL256EHT2I-90Q IC: память FLASH; 90нс; TSOP56; параллельный
- 25WP256E-JLLE-TR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- MX25U1635EZUI10GTR IC: память FLASH; 16Мб; QPI,SPI; 2Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; USON8
- LPS204836B166TQLI IC: SRAM memory; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- MX30UF4G28ADXKITY IC: память FLASH; 4Гб; 25нс; 1,7÷1,95В; VFBGA63; параллельный
- 43TR16128C-125KBLI IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- N01S830BAT22I IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷85°C
- MX25L6433FXCI08GTR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 133МГц; 2,65÷3,6В; TFBGA24
- N01S830HAT22I IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷85°C
- MX60LF8G28AD-TI/TR IC: память FLASH; 20нс; TSOP48; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию