Ещё из раздела
- 42S16160J-7TL-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- 43DR16160B-3DBLITR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 25LX064-JHLA3-TR IC: память FLASH; 64Мб; xSPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; TFBGA24
- 43R16320F-5TLI-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- WV51216EFBLL45BLIT IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; VFBGA48; параллельный
- CAT25010VI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; SOIC8
- MX25U25645GGAI00TY IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В
- CAT25512YI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 64Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
- 43TR16128C-125KBL IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; 0÷95°C
- N24C02UDTG IC: память EEPROM; I2C; 256x8бит; 1,6÷5,5В; 1МГц; US8; бобина,лента
- 25WP064A-RHLE-TR IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; TFBGA24
- M95010-WDW6TP IC: память EEPROM; SPI; 128x8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
- 43R16320F-6TLI-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- X29GL640EHXFI70GTR IC: память FLASH; 70нс; LFBGA64; параллельный
- 25LP020E-JYLE-TR IC: память FLASH; 2Мб; QPI,SPI; 104МГц; 2,3÷3,6В; USON8
- 42VM16400M-75BLI IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- WV20488FBLL45BLI IC: память SRAM; 2Mx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; VFBGA48; параллельный
- 45S16160J-7TLA2-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷105°C
- 38VF6404-90CEKE IC: память FLASH; 4Mx16бит; 90нс; TSOP48; параллельный
- 45S16400J-6TLA1 IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- MX29GL512FLXGI-10Q IC: память FLASH; 100нс; FBGA56; параллельный
- 43TR16K01S2AL125K IC: память DRAM; 1Гx16бит; 800МГц; 13,75нс; LWBGA96; -40÷95°C
- M24256-DFDW6TP IC: память EEPROM; I2C; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- MX25L4006EZUI12GTR IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; USON8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию