Ещё из раздела
- WV6416EEBLL10CTLA3 IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- WVE4M16EBLL70BLI IC: память SRAM; 4Mx16бит; 2,7÷3,6В; 70нс; TFBGA48; параллельный
- 25WP128F-RMLE-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; SO16
- WV102416DBLL55TLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,2÷3,6В; 55нс; TSOP48; параллельный
- WV51232BLL10BLI IC: SRAM memory; 512kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90; parallel
- WV5128EBLL45TLI IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP32; параллельный
- 42RM32400H-75BLI IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 45S16100H-7TLA2-TR IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TSOP50 II; -40÷105°C
- MX25U6435FZNI-10G IC: память FLASH; 64Мб; QPI,SPI; 8Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; WSON8
- 46TR16640ED15HBLA1 IC: память DRAM; 64Mx16бит; 13,5нс; TWBGA96; -40÷95°C; лоток,туба
- LV25616AL10BLITR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 10нс; miniBGA48; параллельный
- WV2568EDBLL10CTLA3 IC: память SRAM; 256Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- 43TR16640C-125JBLI IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1066МГц; 12,5нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 43DR16320E-3DBL IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA84; 0÷85°C
- 45S32800J-6TLA1 IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- LPS51236B200B3LI IC: SRAM memory; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel
- 42S32200L-7BL IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; 0÷70°C
- 45S16320F-7BLA1 IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TWBGA54; -40÷85°C
- LPS102436B200TQLI IC: SRAM memory; 1Mx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel; -40÷85°C
- 43DR16320E-25DBLI IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- M95M01-DFCS6TP/K IC: память EEPROM; SPI; 128Кx8бит; 1,7÷5,5В; 16МГц; WLCSP8
- CAT25020YI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
- CAV93C56VE-GT3 IC: память EEPROM; Microwire; 256x8/128x16бит; 2,5÷5,5В; 2МГц
- 43LR16320C-6BL-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; 0÷70°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию