Ещё из раздела
- 43R16320F-6BLI-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TWBGA60; -40÷85°C; 2,5ВDC
- 45S16800F-7TLA2 IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷105°C
- MX29GL256ELT2I-90Q IC: память FLASH; 90нс; TSOP56; параллельный
- 25WP128F-RHLA3 IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; TFBGA24
- 25WP256D-RMLE-TR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; SO16
- WV12816DBLL10BLITR IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- 25WP032D-JKLE-TR IC: память FLASH; 32Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- WV51216BLL10MLA3TR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- X25L51245GXDJ08GTR IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 133МГц; 2,7÷3,6В
- 42RM16800H-75BLI IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- WVE4M16EALL70BLITR IC: память SRAM; 4Mx16бит; 1,7÷1,95В; 70нс; TFBGA48; параллельный
- MX25U8035EZNI10GTR IC: память FLASH; 8Мб; QPI,SPI; 1Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; WSON8
- 25LP128F-JBLE IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- CAT24C16C4ATR IC: память EEPROM; I2C; 2048x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; WLCSP4
- MX25L3233FZNI08QTR IC: память FLASH; 32Мб; SPI; 4Mx8бит; 133МГц; 2,65÷3,6В; WSON8
- NV25256DWHFT3G IC: память EEPROM; SPI; 32Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; SOIC8
- 42VM16160K-6BLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- MX25L6406EZ3I12GTR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- WV25616EDBLL10BLA3 IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- 42S16100H-6BLI-TR IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
- 25AA512-I/SM IC: память EEPROM; SPI; 64Кx8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц; SO8
- 43R16160F-6TLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- MX25U25643GXDI00TR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В
- 25WX512M-JHLA3 IC: память FLASH; 512Мб; xSPI; 200МГц; 1,7÷2В; TFBGA24; лоток,туба
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию