Ещё из раздела
- 11AA020-I/SN IC: память EEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8
- 11AA02E48-I/SN IC: память EEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8
- 11AA02E48T-I/TT IC: память EEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SOT23-3
- 11AA02E64-I/SN IC: память EEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8
- 11AA040-I/MS IC: память EEPROM; UNI/O; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; MSOP8
- 11AA040-I/P IC: память EEPROM; UNI/O; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; DIP8
- 11AA040-I/SN IC: память EEPROM; UNI/O; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8
- 11AA080-I/MS IC: память EEPROM; UNI/O; 1024x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; MSOP8
- 11AA080-I/P IC: память EEPROM; UNI/O; 1024x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; DIP8
- 11AA080-I/SN IC: память EEPROM; UNI/O; 1024x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8
- 11AA160-I/MS IC: память EEPROM; UNI/O; 2048x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; MSOP8
- 11AA160-I/P IC: память EEPROM; UNI/O; 2048x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; DIP8
- 11AA160-I/SN IC: память EEPROM; UNI/O; 2048x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8
- 11LC010-I/MS IC: память EEPROM; UNI/O; 128x8бит; 2,5÷5,5В; 100кГц; MSOP8
- 11LC010-I/P IC: память EEPROM; UNI/O; 128x8бит; 2,5÷5,5В; 100кГц; DIP8
- 11LC010-I/SN IC: память EEPROM; UNI/O; 128x8бит; 2,5÷5,5В; 100кГц; SO8
- 11LC020-I/MS IC: память EEPROM; UNI/O; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 100кГц; MSOP8
- AS6C2016-55BINTR IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- AS6C2016-55ZINTR IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II; 400mils
- AS6C4008-55BIN IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- AS6C4008-55BINTR IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- AS6C4008-55PCN IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; параллельный
- AS6C4008-55PIN IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; параллельный
- AS6C4008-55SIN IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию