Ещё из раздела
- 42S16800F-5TLI-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- CAT25010HU4I-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; uDFN8
- CAT25M01YI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 128Кx8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц; TSSOP8
- MX30LF4GE8AB-TI IC: память FLASH; 20нс; TSOP48; параллельный
- NLF51218A7.5TQLI IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
- MX25L12872FZNI-10G IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- M93C56-WDW6TP IC: память EEPROM; Microwire; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 2МГц; TSSOP8
- 29GL032-70TLET IC: память FLASH; CFI,parallel; 70нс; TSOP48; параллельный
- WV6416DBLL10BLI IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- C25616EL45TLITR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 5В; 45нс; TSOP44 II; параллельный
- LF51218B7.5TQLI IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
- MX25R3235FZBIL0/TR IC: память FLASH; 32Мб; SPI; 4Mx8бит; 33МГц; 1,65÷3,6В; USON8
- WV6416BLL15BLA3TR IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,5÷3,6В; 15нс; TFBGA48; параллельный
- LF204836B7.5TQLI IC: SRAM memory; 2Mx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- 25LP512M-RMLA3-TY IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO16
- 43QR16512A-083TBLI IC: память DRAM; 512Мx16бит; 14,16нс; TWBGA96; -40÷95°C; 1,2ВDC
- 25WE01G-RILE IC: память FLASH; 1Гб; DTR,QPI,SPI; 104МГц; 1,7÷1,95В; LFBGA24
- 42RM32400H-6BLI IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 43TR82560D125KBLIT IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA78; -40÷95°C
- MX60LF8G18AC-XKI IC: память FLASH; 20нс; VFBGA63; параллельный
- MX25L51245GML-10G IC: память FLASH; 512Мб; 166МГц; 2,7÷3,6В; SOP16; последовательный
- 42S32160F-6BL IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90; 0÷70°C; parallel
- X29GL512GUXFI11GTR IC: память FLASH; 110нс; LFBGA64; параллельный
- 43LR16320C-6BLI-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию