Ещё из раздела
- WV2568EDBLL10BLITR IC: память SRAM; 256Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA36; параллельный
- VPS51236B200TQLITR IC: SRAM memory; 512kx36bit; 2.5V; 3ns; QFP100; parallel; -40÷85°C
- LF12836A7.5TQLITR IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
- CAT25512HU5I-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 64Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; uDFN8
- 42S32200L-7TL-TR IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II; 0÷70°C
- MX25V4035FZUI/TR IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 512Кx8бит; 108МГц; 2,3÷3,6В; USON8
- 43QR16256B-083RBLI IC: память DRAM; 256Мx16бит; 13,32нс; TWBGA96; -40÷95°C; 1,2ВDC
- 42S16800F-5TLI-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- CAT25010HU4I-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; uDFN8
- CAT25M01YI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 128Кx8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц; TSSOP8
- MX30LF4GE8AB-TI IC: память FLASH; 20нс; TSOP48; параллельный
- NLF51218A7.5TQLI IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
- MX25L12872FZNI-10G IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- M93C56-WDW6TP IC: память EEPROM; Microwire; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 2МГц; TSSOP8
- 29GL032-70TLET IC: память FLASH; CFI,parallel; 70нс; TSOP48; параллельный
- WV6416DBLL10BLI IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- C25616EL45TLITR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 5В; 45нс; TSOP44 II; параллельный
- LF51218B7.5TQLI IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
- MX25R3235FZBIL0/TR IC: память FLASH; 32Мб; SPI; 4Mx8бит; 33МГц; 1,65÷3,6В; USON8
- WV6416BLL15BLA3TR IC: память SRAM; 64Кx16бит; 2,5÷3,6В; 15нс; TFBGA48; параллельный
- LF204836B7.5TQLI IC: SRAM memory; 2Mx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- 25LP512M-RMLA3-TY IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO16
- 43QR16512A-083TBLI IC: память DRAM; 512Мx16бит; 14,16нс; TWBGA96; -40÷95°C; 1,2ВDC
- 25WE01G-RILE IC: память FLASH; 1Гб; DTR,QPI,SPI; 104МГц; 1,7÷1,95В; LFBGA24
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию