Ещё из раздела
- NLP12836B200TQLI IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100; parallel
- 43TR16640CL107MBLI IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1066МГц; 13,91нс; TWBGA96; -40÷95°C
- CAT24C512WI-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 64Кx8бит; 1,8÷5,5В; 1МГц; SOIC8
- WV25616BLL55BLITR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- 25WP064D-JKLE IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- 43R16320F-6TL IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- LF25618A7.5TQLI IC: SRAM memory; 256kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
- WV25616BLL10TLTR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; 0÷70°C
- MX35LF4GE4ADXDITY IC: память FLASH; 4Гб; SPI; 104МГц; 2,7÷3,6В; BGA24
- LF204818B7.5TQLI IC: SRAM memory; 2Mx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- X29GL128FDXFI11GTY IC: память FLASH; 110нс; LFBGA64; параллельный
- WV1M16EBLL55BLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- MX25U1635FZUI10GTY IC: память FLASH; 16Мб; QPI,SPI; 2Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; USON8
- X25L25673GZ4I08GTR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 120МГц; 2,7÷3,6В
- 42RM16160K-75BLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 25WP512M-RHLE IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 112МГц; 1,65÷1,95В; TFBGA24
- MX30LF4G28AD-XKITR IC: память FLASH; 4Гб; 20нс; 2,7÷3,6В; VFBGA63; параллельный
- WVE1M16EBLL70BLITR IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,7÷3,6В; 70нс; TFBGA48; параллельный
- CAT24AA01TDI-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSOT23-5
- 42S83200J-7TL-TR IC: память DRAM; 8Mx8битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- 39VF1601C-70EKE IC: память FLASH; 1Mx16бит; 70нс; TSOP48; параллельный
- MX35LF2G24AD-Z4ITR IC: память FLASH; 2Гб; SPI; 120МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- 42S16160J-6BLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 42S32200L-6BLI-TR IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию