Ещё из раздела
- AS4C1G8D4-75BCNTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C1G8D4-75BIN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1G8D4-75BINTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1M16S-6TCNTR IC: память DRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II; 0÷70°C
- AS4C2M32D1A-5BCNTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; 0÷70°C; бобина
- AS4C2M32D1A-5BINTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; -40÷85°C; бобина
- AS4C2M32S-6BINTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TFBGA90; -40÷85°C
- AS4C2M32S-7BCNTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TFBGA90; 0÷70°C
- AS4C32M16D1-5BAN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; -40÷105°C; лоток
- AS4C32M16D1-5BANTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; -40÷105°C; бобина
- AS4C32M16D1-5BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; 0÷70°C; бобина
- AS4C32M16D1-5BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; -40÷95°C; бобина
- AS4C32M16D1A-5TAN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
- AS4C32M16D2A-25BAN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- AS4C32M16D3-12BCN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- AS4C32M16D3-12BIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷95°C
- AS4C32M16D3L-12BCN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- AS4C32M16D3L-12BIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- AS4C32M16SB-7BIN IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C32M16SB-7BINTR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C32M8D1-5TCNTR IC: память DRAM; 32Mx8бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; TSOP66 II; 0÷70°C
- AS4C32M8D1-5TINTR IC: память DRAM; 32Mx8бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- AS4C32M8SA-6TINTR IC: память DRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C32M8SA-7TCNTR IC: память DRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
INFINEON TECHNOLOGIES
- 26 шт. — 4 недели
- 3 шт. — 20 562 ₽
20 562 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.
от 3 шт. и кратно 3
ROHM SEMICONDUCTOR
- 26 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 52 ₽
- 10 шт. — 49 ₽
- 25 шт. — 48 ₽
52 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.
MICRON TECHNOLOGY
- 26 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 13 445 ₽
- 10 шт. — 12 976 ₽
- 25 шт. — 12 790 ₽
13 445 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 26 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 11 386 ₽
- 10 шт. — 10 516 ₽
- 25 шт. — 10 174 ₽
11 386 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.
- 26 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 442 ₽
- 10 шт. — 1 341 ₽
- 25 шт. — 1 301 ₽
1 442 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 26 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 16 174 ₽
- 10 шт. — 14 928 ₽
- 25 шт. — 14 439 ₽
16 174 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.
- 25 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 065 ₽
- 10 шт. — 1 919 ₽
- 25 шт. — 1 860 ₽
2 065 ₽
В корзину
Доступно 25 шт.
- 25 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 033 ₽
- 10 шт. — 1 890 ₽
- 25 шт. — 1 832 ₽
2 033 ₽
В корзину
Доступно 25 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 25 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 684 ₽
- 10 шт. — 637 ₽
- 25 шт. — 619 ₽
684 ₽
В корзину
Доступно 25 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 25 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 5 747 ₽
- 10 шт. — 5 322 ₽
- 25 шт. — 5 155 ₽
5 747 ₽
В корзину
Доступно 25 шт.
- 25 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 799 ₽
- 10 шт. — 1 674 ₽
- 25 шт. — 1 622 ₽
1 799 ₽
В корзину
Доступно 25 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 25 шт. — 4 недели
- 6 шт. — 8 712 ₽
8 712 ₽
В корзину
Доступно 25 шт.
от 6 шт. и кратно 6
INFINEON TECHNOLOGIES
- 24 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 618 ₽
- 10 шт. — 577 ₽
618 ₽
В корзину
Доступно 24 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 23 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 15 093 ₽
- 10 шт. — 13 932 ₽
15 093 ₽
В корзину
Доступно 23 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 23 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 866 ₽
- 10 шт. — 2 661 ₽
2 866 ₽
В корзину
Доступно 23 шт.