Ещё из раздела
- 4C512M8D3LC-12BCN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D3LC-12BIN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C512M8D3LC12BANTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D3LC12BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D3LC12BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-75BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-75BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-83BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-83BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C64M16D1A-6BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; FBGA60; -40÷95°C; бобина
- 4C64M16D1A-6TCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; 0÷95°C; бобина
- 4C64M16D1A-6TINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- 4C64M16D2A-25BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- 4C64M16D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D2A-25BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C64M16D2B-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D3B-12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3B-12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3B-12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷85°C
- 4C64M16D3LB-12BAN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C64M16D3LB12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3LB12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3LB12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA60; -40÷85°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
MICRON TECHNOLOGY
- 179 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 5 466 ₽
- 10 шт. — 5 059 ₽
- 25 шт. — 4 898 ₽
- 50 шт. — 4 777 ₽
- 100 шт. — 4 658 ₽
5 466 ₽
В корзину
Доступно 179 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 88 шт. — 4 недели
- 67 шт. — 788 ₽
788 ₽
В корзину
Доступно 88 шт.
от 67 шт. и кратно 67
INFINEON TECHNOLOGIES
- 87 шт. — 4 недели
- 6 шт. — 8 647 ₽
8 647 ₽
В корзину
Доступно 87 шт.
от 6 шт. и кратно 6
INFINEON TECHNOLOGIES
- 86 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 222 ₽
- 10 шт. — 1 138 ₽
- 25 шт. — 1 104 ₽
1 222 ₽
В корзину
Доступно 86 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 85 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 199 ₽
- 10 шт. — 1 118 ₽
- 47 шт. — 1 061 ₽
1 199 ₽
В корзину
Доступно 85 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 85 шт. — 4 недели
- 5 шт. — 47 534 ₽
47 534 ₽
В корзину
Доступно 85 шт.
от 5 шт. и кратно 5
- 84 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 702 ₽
- 10 шт. — 656 ₽
- 25 шт. — 636 ₽
- 50 шт. — 622 ₽
702 ₽
В корзину
Доступно 84 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 83 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 533 ₽
- 25 шт. — 2 485 ₽
2 533 ₽
В корзину
Доступно 83 шт.
- 83 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 6 706 ₽
- 10 шт. — 6 210 ₽
- 25 шт. — 6 015 ₽
- 50 шт. — 5 868 ₽
6 706 ₽
В корзину
Доступно 83 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 82 шт. — 4 недели
- 2 шт. — 28 331 ₽
28 331 ₽
В корзину
Доступно 82 шт.
от 2 шт. и кратно 2
- 82 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 579 ₽
- 10 шт. — 1 468 ₽
- 25 шт. — 1 424 ₽
1 579 ₽
В корзину
Доступно 82 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 80 шт. — 4 недели
- 71 шт. — 751 ₽
751 ₽
В корзину
Доступно 80 шт.
от 71 шт. и кратно 71
INFINEON TECHNOLOGIES
- 80 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 10 750 ₽
- 10 шт. — 9 934 ₽
- 25 шт. — 9 613 ₽
- 72 шт. — 9 248 ₽
10 750 ₽
В корзину
Доступно 80 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 74 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 8 137 ₽
- 10 шт. — 7 523 ₽
- 25 шт. — 7 281 ₽
- 50 шт. — 7 100 ₽
8 137 ₽
В корзину
Доступно 74 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 73 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 042 ₽
- 10 шт. — 2 822 ₽
- 25 шт. — 2 734 ₽
3 042 ₽
В корзину
Доступно 73 шт.