Ещё из раздела
- 4C256M16D3C-12BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3C-93BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C10BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C10BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3C12BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3C12BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3C93BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 1066МГц; 13,09нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC-10BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC-10BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC-10BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC-12BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC10BANT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC10BCNT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC10BINT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC12BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC12BANT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC12BCNT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC12BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC12BINT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D4-75BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D4-75BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D4-83BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D4-83BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16MD4-062BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс; -40÷105°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
- 1457 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 778 ₽
- 3 шт. — 1 738 ₽
- 10 шт. — 1 606 ₽
- 25 шт. — 1 448 ₽
- 100 шт. — 1 399 ₽
1 778 ₽
В корзину
Доступно 1 457 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 58 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 381 ₽
- 10 шт. — 2 211 ₽
- 25 шт. — 2 144 ₽
- 50 шт. — 2 043 ₽
2 381 ₽
В корзину
Доступно 58 шт.
- 58 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 203 ₽
- 10 шт. — 1 120 ₽
- 25 шт. — 1 086 ₽
- 50 шт. — 1 037 ₽
1 203 ₽
В корзину
Доступно 58 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 58 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 296 ₽
- 25 шт. — 2 250 ₽
2 296 ₽
В корзину
Доступно 58 шт.
MACRONIX INTERNATIONAL
- 58 шт. — 4 недели
- 3 шт. — 232 ₽
- 10 шт. — 193 ₽
- 25 шт. — 166 ₽
232 ₽
В корзину
Доступно 58 шт.
от 3 шт. и кратно 3
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 57 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 513 ₽
- 25 шт. — 2 461 ₽
2 513 ₽
В корзину
Доступно 57 шт.
- 56 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 709 ₽
- 16 шт. — 2 475 ₽
- 32 шт. — 2 416 ₽
2 709 ₽
В корзину
Доступно 56 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 55 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 62 ₽
- 10 шт. — 58 ₽
- 25 шт. — 57 ₽
- 50 шт. — 55 ₽
62 ₽
В корзину
Доступно 55 шт.